图案化与蚀刻保护层之方法

摘要

一种图案化保护层之方法。首先，提供一具有金属内连线之半导体晶圆。接着，于金属内连线上依序形成介电保护层与感光高分子保护层。随后，进行第一图案化制程，以于感光高分子保护层中形成第一开口，并暴露出部分之介电保护层。最后，进行第二图案化制程，以于暴露出的介电保护层中形成至少一第二开口。