| 主权项 |
1.一种绝缘膜用材料,其特征在于:其系包括以通式 [1]所代表之聚醯胺,与具有该聚醯胺构造中之羧基 、胺基或羟基反应所制得取代基之反应性寡聚物, 反应所得之共聚物来做为膜形成成分; 【式中,R1~R4系各个独立为氢原子或一价有机基;X 系表示自下式(A)代表之基中所选出之四价基,2个X 可为相同,不相同也可以;Y系表示自下式(B)、式(C) 、式(D)及式(E)代表之基中所选出之至少1种的二价 基;Z系表示自下式(F)代表之基中所选出之二价基;m 及n系分别为满足m>0、n≧0、2≦m+n≦1000、及0.05≦m /(m+n)≦1关系式之整数;重复单元之配列可以是区 段、无规中之任一者;】 【式(A)及式(F)中之X1系表示自式(G)代表基中所选 出之二价基; 式(C)中之R系为烷基或代表选自于式(H)所示基中之 一价基; 又,式(A)、式(B)、式(C)、式(D)、式(E)、式(F)、及式 (G)所示基之苯环上之氢原子,自碳数为1~4之烷基、 氟原子及三氟甲基中选出之至少一个基所取代也 可以。 2.如申请专利范围第1项之绝缘膜用材料,其中聚醯 胺系指通式[1]中之Y乃为具有自式(B)所代表之基中 选出之至少1种的二价基之物质。 3.如申请专利范围第1项之绝缘膜用材料,其中聚醯 胺系指通式[1]中之Y乃为具有自式(C)所代表之基中 选出之至少1种的二价基之物质。 4.如申请专利范围第1项之绝缘膜用材料,其中聚醯 胺系指通式[1]中之Y乃为具有自式(D)所代表之基中 选出之至少1种的二价基之物质。 5.如申请专利范围第1项之绝缘膜用材料,其中聚醯 胺系指通式[1]中之Y乃为具有自式(E)所代表之基中 选出之至少1种的二价基之物质。 6.如申请专利范围第1~5项中任一项之绝缘膜用材 料,其中反应性寡聚物系为自聚氧化烯烃、聚甲基 甲基丙烯酸酯、聚-甲基苯乙烯、聚苯乙烯、聚 酯、聚醚酯、聚内酯及聚胺基甲酸酯中选出之至 少1种。 7.如申请专利范围第1~5项中任一项之绝缘膜用材 料,其中反应性寡聚物之数量平均分子量系为100~40 ,000。 8.如申请专利范围第7项之绝缘膜用材料,其中反应 性寡聚物之数量平均分子量系为100~20,000。 9.如申请专利范围第8项之绝缘膜用材料,其中反应 性寡聚物之数量平均分子量系为100~10,000。 10.如申请专利范围第1~5项中任一项之绝缘膜用材 料,其中共聚物系经导入5~70重量%之反应性寡聚物 。 11.如申请专利范围第10项之绝缘膜用材料,其中共 聚物系经导入5~50重量%之反应性寡聚物。 12.如申请专利范围第11项之绝缘膜用材料,其中共 聚物系经导入5~40重量%之反应性寡聚物。 13.一种绝缘膜用被覆清漆,其特征在于:其系含有 如申请专利范围第1~12项中任一项之绝缘膜用材料 ,以及可使该绝缘膜用材料溶解或分散之有机溶剂 。 14.一种绝缘膜,其特征在于:其系以经加热处理之 缩合反应及交联反应之由如申请专利范围第1~12项 中任一项之绝缘膜用材料,或如申请专利范围第13 项之绝缘膜用被覆清漆,所制得之聚苯并唑为主 构造之树脂层所构成,而且具有微细孔。 15.如申请专利范围第14项之绝缘膜,其中绝缘膜之 微细孔大小系在1微米以下。 16.如申请专利范围第15项之绝缘膜,其中绝缘膜之 微细孔大小系在500奈米以下。 17.如申请专利范围第16项之绝缘膜,其中绝缘膜之 微细孔大小系在100奈米以下。 18.如申请专利范围第17项之绝缘膜,其中绝缘膜之 微细孔大小系在20奈米以下。 19.如申请专利范围第14~18项中任一项之绝缘膜,其 中绝缘膜之孔隙率系为5~70%。 20.如申请专利范围第19项之绝缘膜,其中绝缘膜之 孔隙率系为5~50%。 21.如申请专利范围第20项之绝缘膜,其中绝缘膜之 孔隙率系为5~40%。 22.如申请专利范围第14~18项中任一项之绝缘膜,其 系用来做为半导体之多层配线用层间绝缘膜。 23.如申请专利范围第14~18项中任一项之绝绿膜,其 系用来做为半导体之表面保护膜。 |
