| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,系包括:准备半导体 层;在藉由形成于上述半导体层之分离区域来区隔 之复数个元件形成区域形成第1MOS电晶体、以及闸 极氧化膜的膜厚较上述第1MOS电晶体还薄之第2MOS 电晶体,其特征为具备: 在上述第1MOS电晶体的形成区域之上述半导体层的 表面,选择性的形成第1绝缘膜之后,在上述第1及第 2MOS电晶体的形成区域之上述半导体层的表面,形 成第2绝缘膜之步骤; 在上述第1MOS电晶体的形成区域形成闸极电极,并 将位于上述闸极电极附近之汲极区及源极区的形 成区域上面之上述第1及第2绝缘膜的膜厚加以薄 化之步骤;及 从上述半导体层的上方进行杂质的离子植入,于上 述半导体层形成汲极区及源极区之步骤。 2.如请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其 中,在将上述将第1及第2绝缘膜的膜厚加以薄化之 步骤中,系在同一步骤中,去除上述第2MOS电晶体的 形成区域之上述第2绝缘膜。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中,在上述形成汲极区及源极区之步骤中,系采 用上述闸极电极并藉由自我整合技术而将上述第1 及第2绝缘膜加以薄化之后,从上述闸极电极的上 方,采用上述闸极电极并藉由自我整合技术,来进 行离子植入。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中,在上述形成闸极电极之步骤中,在上述第2绝 缘膜上面,系以在形成有场氧化膜之区域设置开口 部的方式,来形成第1矽膜及氮化矽膜,并以上述第1 矽膜及氮化矽膜为遮罩,于上述半导体层形成场氧 化膜之后,去除上述氮化矽膜,又于上述第1矽膜上 面沉积第2矽膜,并选择性的去除上述第1及第2矽膜 。 图式简单说明: 第1图系显示本发明的实施型态之半导体装置之制 造方法的剖面图。 第2图系显示本发明的实施型态之半导体装置之制 造方法的剖面图。 第3图系显示本发明的实施型态之半导体装置之制 造方法的剖面图。 第4图系显示本发明的实施型态之半导体装置之制 造方法的剖面图。 第5图系显示本发明的实施型态之半导体装置之制 造方法的剖面图。 第6图系显示本发明的实施型态之半导体装置之制 造方法的剖面图。 第7图系显示本发明的实施型态之半导体装置之制 造方法的剖面图。 第8图系显示本发明的实施型态之半导体装置之制 造方法的剖面图。 |
