| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含: 一基板,包括一第一主动区域,一第二主动区域,其 高度高于第一主动区域; 一闸图案,其具有阶状结构,形成于第一主动区域 和第二主动区域之交界区域,其中,该闸图案从第 一主动区域的预定部分延伸至第二主动区域的预 定部分; 闸间隙壁,形成于闸图案的两面侧壁上; 一第一晶胞接面,形成于该第一主动区域的一闸间 隙壁,且与一储存节点接触窗连结; 一第二晶胞接面,形成于该第二主动区域的另一闸 间隙壁,且与一位元线接触窗连结。 2.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中第一主 动区域与第二主动区域之间的高度差范围介于约 200到约600之间。 3.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中第一主 动区域和第二主动区域之间的交界区域须经圆化 处理。 4.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中第一主 动区域与一装置隔离层之间的高度差范围介于约0 到约150之间。 5.一种制造半导体装置的方法,包含: 形成一基板,该基板包括一第一主动区域和一第二 主动区域,第二主动区域之高度高于第一主动区域 ; 进行第一主动区域和第二主动区域之间的交界区 域之圆化处理; 在基板的一表面上,包括应进行圆化处理的交界区 域,形成一闸绝绿层; 在闸绝缘层上,在第一主动区域与第二主动区域间 的交界区域形成一具有阶状结构的闸图案; 在闸图案的两面侧壁上形成闸间隙壁;且 在于第二主动区域形成一第二晶胞接面的同时,于 第一主动区域形成一第一晶胞接面。 6.如申请专利范围第5项的方法,其中形成基板进一 步包含: 在基板的预定部分形成多数个装置隔离层;且 以蚀刻由装置隔离层界定的一主动区域之一定部 分成深凹而界定该第一主动区域,该一定部分系邻 近于装置隔离层之部分;及 界定第二主动区域在除形成第一主动区域之该一 定部分外之主动区域之剩余部分。 7.如申请专利范围第6项的方法,其中第一主动区域 和第二主动区域之间的高度差范围介于约200到 大约600之间。 8.如申请专利范围第6项的方法,其中,已深凹的第 一主动区域之界定包括: 在基板之包含装置隔离层的上端部分,形成一第一 绝缘层; 在第一绝缘层上形成一抗反射障壁层; 藉一光阻层在抗反射障壁层上形成一遮罩; 藉由使用遮罩作为蚀刻之阻障以单独蚀刻抗反射 障壁层; 藉由使用遮罩作为蚀刻之阻障以蚀刻第一绝缘层; 移除遮罩;且 藉由使用已蚀刻之抗反射障壁层作为蚀刻之阻障 以蚀刻基板一预定之厚度而界定深凹的第一主动 区域。 9.如申请专利范围第8项的方法,其中,深凹的第一 主动区域之界定包含使用四氟化碳(CF4)、三氟甲 烷(CHF3)和氧气(O2)之混合气体。 10.如申请专利范围第9项的方法,其中在使用四氟 化碳、三氟甲烷和氧气之混合气体界定深凹的第 一主动区域期间,对于基板相关于装置隔离层的蚀 刻选择性被控制在1比1之比率。 11.如申请专利范围第5项的方法,其中在形成闸图 案之前,进一步包含进行闸氧化物层的前洗净制程 ,其中第一主动区域与装置隔离层间的高度差范围 ,直到前清洁制程为止,在约0到约150之间。 12.如申请专利范围第5项的方法,其中圆化处理系 与等向性蚀刻制程进行。 13.如申请专利范围第12项的方法,其中等向性蚀刻 制程系使用一下游式方法并使用一具有微波式或 或感应藕合式电浆(ICP)之电浆源。 14.如申请专利范围第13项的方法,其中等向性蚀刻 制程系使用四氟化碳(CF4)和氧气(O2)的混合气体,或 三氟化氮(NF3)、氧气(O2)与氦气(He)混合气体,或上 述混合气体之组合之一种。 15.如申请专利范围第5项的方法,其中在进行圆化 处理后,进一步包含: 在基板的表面,包含应圆化处理之交界区域上,形 成一牺牲的氧化物层; 在牺牲的氧化物层仍存留的状态下,于基板进行离 子植入制程,以控制临界电压与一井;以及 移除牺牲的氧化物层。 16.如申请专利范围第15项的方法,其中形成牺牲的 氧化物层包含乾式的氧化制程。 17.如申请专利范围第15项的方法,其中牺牲的氧化 物层在约800℃到约900℃的温度形成,其厚度在约50 到约120之间。 18.如申请专利范围第5项的方法,其中闸绝缘层系 藉由乾式氧化法,在约850℃到约1,000℃的温度形成, 其厚度约在100到约150之间。 19.如申请专利范围第5项的方法,其中从主轴中观 察所得之俯视图,闸图案呈一波形,其中闸图案的 预定部分通过深凹的第一主动区域的上端部,而圆 形地凸向深凹的第一主动区域,而闸图案的其他部 分则通过装置隔离层的上端部,且并未圆形地凸出 。 图式简单说明: 第1图是一个说明传统半导体装置的截面图; 第2图是一个本发明,即具有多数个阶状闸极之半 导体装置之一特定实施例的截面图; 第3A图至第3G图是说明本发明,即制造如第2图所示 之具有多数个阶状闸极的半导体装置的方法的一 个特定实施例的截面图;以及 第4A图至第4F图是显示根据本发明之一特定实施例 而深凹成形(recessed)之主动区域之深度之照片。 |
