| 主权项 |
1.一种双金属锌错合物,其结构如下式(1): 其中, 每一个双氮螯合配基系为一单价阴离子,其系与锌 原子形成六元环; R1系为C1~20的烷基,其上至少有一氢原子未被取代 或被卤素原子取代;或是C6~20的芳基,其上至少有一 氢原子未被取代或被卤素原子取代,而两个R1相同 或不同; R2为氢原子、卤素原子、基;或是C1~20的烷基,其 上至少有一氢原子未被取代或被卤素原子取代;或 是C6~20的芳基,其上至少有一氢原子未被取代或被 卤素原子取代,而两个R2相同或不同; R3为氢原子、卤素原子、基;或是C1~20的烷基,其 上至少有一氢原子未被取代或被卤素原子取代;或 是C6~20的芳基,其上至少有一氢原子未被取代或被 卤素原子取代,而两个R3相同或不同; R4为氢原子、卤素原子、基;或是C1~20的烷基,其 上至少有一氢原子未被取代或被卤素原子取代;或 是C6~20的芳基,其上至少有一氢原子未被取代或被 卤素原子取代,而两个R4相同或不同; R2与R3,或是R3与R4,二者更可连结成环; X为一单价阴离子,系由C1~20的烷氧阴离子、羧酸阴 离子、烷基亚磺酸阴离子及醯胺阴离子中所选出 者,其中C1~20之烷氧阴离子上至少有一个氢原子未 被取代或被卤素原子取代,而两个单价阴离子X相 同或不同,且每一个X配基或仅配位至一个锌原子, 或是在两个锌原子之间形成桥接结构; Y系为一碳骨架二撑基,其上可有至少一氢原子被 卤素原子取代,而两个Y官能基相同或不同;以及 Q为C1~20的烷二撑基,其上至少有一氢原子未被取代 或被卤素原子取代;或是C6~20的芳二撑基,其上至少 有一氢原子未被取代或被卤素原子取代。 2.如申请专利范围第1项所述之双金属锌错合物,其 结构如下式(2): 其中, 每一个双氮螯合配基系为一单价阴离子,其系与锌 原子形成六元环; R2为氢原子、卤素原子、基;或是C1~20的烷基,其 上至少有一氢原子未被取代或被卤素原子取代;或 是C6~20的芳基,其上至少有一氢原子未被取代或被 卤素原子取代,而两个R2相同或不同; R3为氢原子、卤素原子、基;或是C1~20的烷基,其 上至少有一氢原子未被取代或被卤素原子取代;或 是C6~20的芳基,其上至少有一氢原子未被取代或被 卤素原子取代,而两个R3相同或不同; R4为氢原子、卤素原子、基;或是C1~20的烷基,其 上至少有一氢原子未被取代或被卤素原子取代;或 是C6~20的芳基,其上至少有一氢原子未被取代或被 卤素原子取代,而两个R4相同或不同; R2与R3,或是R3与R4,二者更可连结成环; R5为氢原子或C1~4之烷基,且各R5相同或不同; R6为氢原子或C1~4之烷基,且各R6相同或不同; R7为氢原子、卤素原子、基;或是C1~20的烷基,其 上至少有一氢原子未被取代或被卤素原子取代;或 是C6~20的芳基,其上至少有一氢原子未被取代或被 卤素原子取代,而两个R7相同或不同,且二者更可连 结成环; R8为氢原子;或是C1~20的烷基,其上至少有一氢原子 未被取代或被卤素原子取代;或是C6~20的芳基,其上 至少有一氢原子未被取代或被卤素原子取代,而两 个R8相同或不同,且二者更可连结成环;以及 X为单价阴离子,系由C1~20的烷氧阴离子、羧酸阴离 子、烷基亚磺酸阴离子及醯胺阴离子中所选出者, 其中C1~20之烷氧阴离子上至少有一个氢原子未被 取代或被卤素原子取代,而两个单价阴离子X相同 或不同,且每一个X配基或仅配位至一个锌原子,或 是在两个锌原子之间形成桥接结构。 3.如申请专利范围第1项所述之双金属锌错合物,其 结构如下式(5)或(6): 其中,R与R'各自为甲基、乙基或异丙基,且Me表示甲 基。 4.一种制造聚碳酸酯的方法,包括: 使用申请专利范围第1~3项中任一项所述之双金属 锌错合物作为触媒,以使一环氧化物与二氧化碳聚 合,其中, 该环氧化物系选自由C2~20之未取代或是以卤素原 子或烷氧基取代的氧化烯烃、C4~20之未取代或是 以卤素原子或烷氧基取代的氧化环烯烃,以及C8~20 之未取代或是以卤素原子、烷氧基或烷基取代的 氧化苯乙烯。 5.一种聚碳酸酯,其系以申请专利范围第4项所述之 制造聚碳酸酯的方法制造而得者。 6.如申请专利范围第5项所述之聚碳酸酯,其数量平 均分子量介于5,000至1,000,000之间,且分子量分布値 介于1.05至4.0之间。 7.一种如下式(3)所示之化合物: 其中,R2~R8之定义系如申请专利范围第2项所述者。 图式简单说明: 图1绘示本发明实施例之化合物(15)的单晶X光绕射 解析结构。 图2绘示本发明实施例之化合物(33)的单晶X光绕射 解析结构。 |
