| 主权项 |
1.一种用于测试一大型基材上之电子元件的设备, 其至少包含: 一可动基材支撑件;以及 至少一测试柱,位于该基材支撑件上方,其中该基 材支撑件可以单轴移动,该单轴垂直于至少一测试 柱之一光轴。 2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该基材支 撑件系遮罩于一测试处理室内。 3.如申请专利范围第2项所述之设备,其中该测试处 理室系耦接至一真空帮浦。 4.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该至少一 测试柱系一具有一测试区的电子束柱。 5.如申请专利范围第4项所述之设备,其中该至少一 电子束柱的测试区于一第一方向约230mm至约270mm, 而于一垂直该第一方向之方向约340mm至约380mm。 6.如申请专利范围第4项所述之设备,其中该至少一 电子束柱之测试区于一第一方向约325mm至约375mm, 而于一垂直该第一方向之一方向约240mm至约290mm。 7.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该至少一 测试柱包括六个或更多测试柱。 8.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该基材支 撑件更包括:一终端作用器。 9.如申请专利范围第7项所述之设备,其中该六个或 更多测试柱于该基材支撑件上方系大致呈直线。 10.如申请专利范围第9项所述之设备,其中该六个 或更多测试柱可形成一聚集测试区,该聚集测试区 足以测试基材之一长度或一宽度。 11.一种用于测试一大型基材上之电子元件的设备, 其至少包含: 一测试平台,具有一支撑表面,用以支撑该大型基 材;以及 数个测试柱,耦接至该测试平台,该数个测试柱之 各者具有一光轴位于一测试区内,其中该测试平台 系以一相对于该光轴之线性方向移动,且该数个测 试柱具有一聚集测试区,该聚集测试区在基材移动 通过该系统时足以测试该基材之一宽度或一长度 。 12.如申请专利范围第11项所述之设备,其中该线性 方向垂直于光轴。 13.如申请专利范围第11项所述之设备,其中该光轴 系朝一垂直方向,而该线性方向系垂直于该垂直方 向。 14.如申请专利范围第11项所述之设备,其中该测试 平台至少包含: 一基材支撑件,具有一终端作用器。 15.如申请专利范围第11项所述之设备,其中该测试 平台位于一测试处理室内,且该测试处理室系耦接 至一真空帮浦。 16.一种用于测试一大型基材上之电子元件的系统, 其至少包含: 一处理室; 一基材支撑件,位于该处理室内,该基材支撑件尺 寸适于接收该基材;以及 数个测试装置,耦接至该处理室之一上表面,该数 个测试装置之各者具有一测试区,其中该数个测试 装置彼此相隔以形成一聚集测试区,其足以在基材 移动通过系统时测试该基材之一长度或一宽度。 17.如申请专利范围第16项所述之系统,其中该数个 测试装置之各者具有一光轴,且该基材支撑件系以 一垂直该光轴之方向移动。 18.如申请专利范围第16项所述之系统,其中该处理 室包括一可动侧壁,以利传送一或多个探针进出该 处理室。 19.如申请专利范围第16项所述之系统,其中该数个 测试装置包括至少六个电子束柱。 20.如申请专利范围第19项所述之系统,其中该数个 测试装置系呈大致直线。 21.如申请专利范围第16项所述之系统,其中该基材 支撑件包括:一终端作用器。 22.如申请专利范围第16项所述之系统,其中该数个 测试装置之各者的测试区于Y轴方向约230mm至约270 mm,而于X轴方向约340mm至约380mm。 23.如申请专利范围第16项所述之系统,其中该数个 测试装置之各者的测试区于Y轴方向约325mm至约375 mm,而于X轴方向约240mm至约290mm。 24.一种用于测试一大型基材上之电子元件的设备, 其至少包含: 一探针框架,其至少包含: 数个结构性元件,其可界定一矩形框架,其一下表 面上具有数个接触销;以及 至少一电子连接块,与该数个接触销连通。 25.如申请专利范围第24项所述之设备,其中该数个 结构性元件之各者为矩形、梯形、三角形或其组 合。 26.如申请专利范围第24项所述之设备,其中该等电 子元件为薄膜电晶体。 27.如申请专利范围第24项所述之设备,其中该探针 框架包括之尺寸等于或大于该大型基材之尺寸。 28.如申请专利范围第24项所述之设备,其中该数个 结构性元件之一或多者包括两个主要边及至少一 次要边,且该主要边之至少一者系呈倾斜。 29.如申请专利范围第24项所述之设备,其中该探针 框架更包括: 至少一探针棒,设于该矩形框架之至少两平行边之 间。 30.如申请专利范围第29项所述之设备,其中该至少 一探针棒包括数个位于其下表面上的接触销。 31.如申请专利范围第29项所述之设备,其中该至少 一探针棒至少包括一截面形状,该截面形状为矩形 、梯形、三角形或其组合。 32.如申请专利范围第29项所述之设备,其中该至少 一探针棒包括两主要边及至少一次要边,且该主要 边之至少一者系呈倾斜。 33.如申请专利范围第29项所述之设备,其中该至少 一探针棒可相对该矩形框架移动。 34.一种用于测试一大型基材上之电子元件的方法, 其至少包含下列步骤: 于数个测试装置下方提供一基材支撑件; 将该具有数个电子元件于其上之基材定位于该基 材支撑件上; 由该数个测试柱于该基材上提供一测试区;以及 以一单方向轴相对于该数个测试柱移动该基材支 撑件。 35.如申请专利范围第34项所述之方法,其中该测试 区于一第一方向介约1950mm至约2250mm,而于一垂直该 第一方向之方向介约240mm至约290mm。 36.如申请专利范围第34项所述之方法,其中该测试 区于一第一方向介约1920mm至约2320mm,而于一垂直该 第一方向之方向介约325mm至约375mm。 37.如申请专利范围第34项所述之方法,其中该电子 元件之各者为薄膜电晶体。 38.如申请专利范围第34项所述之方法,其中该数个 测试装置之之各者为电子束柱。 39.如申请专利范围第34项所述之方法,其中该移动 步骤包括于该单方向轴渐增地移动该基材。 图式简单说明: 第1图系测试系统之一实施例。 第2图系测试系统之另一实施例。 第3图系基材支撑件之一实施例的概要平面图。 第4图系基材支撑件之另一实施例的概要图。 第5图系测试柱之一实施例。 第6图系测试系统之另一实施例。 第7图系测试系统之另一实施例。 第8A图系探针之一实施例。 第8B图系结构件之一实施例的截面图。 第8C图系结构件之另一实施例的截面图。 |
