| 摘要 |
EN UN DISPOSITIVO PARA RECUBRIMIENTO DE UN SUBSTRATO (2) CON LA AYUDA DE PLASMA CVD (FIG.1), SE DISPONE DE UNA FUENTE (3) DE CORRIENTE ALTERNA, QUE SE UNE CON DOS CATODOS (4,5) MAGNETRON, DONDE UNO DE LOS POLOS (8) DE LA FUENTE (3) DE CORRIENTE ALTERNA ESTA CONECTADO EN UN CATODO (4) Y EN EL OTRO POLO (9) SE CONECTA EL OTRO CATODO (5) A TRAVES DE UNA CONDUCCION (10,11) DE ABASTECIMIENTO. DISPONIENDOSE CADA UNO DE AMBOS CATODOS (4,5) EN UN COMPARTIMENTO (12,13) PROPIO, DONDE CADA COMPARTIMENTO INCLUYE ENTRE ELLOS UN TERCER COMPARTIMENTO (14) CONECTADO A UNA FUENTE (21) DE VACIO. AMBOS COMPARTIMENTOS (12,13) DISPUESTOS EXTERIORMENTE SE UNEN A TRAVES DE ABERTURAS (15,16) O ESPACIOS EN LAS PAREDES (17,18) UNO CON OTRO, DONDE EL SUBSTRATO (2) DISPUESTO EN EL TERCER COMPARTIMENTO (14) ESTA EQUIPADO CON UNA FUENTE CVD, QUE SE CONFIGURA ESENCIALMENTE A PARTIR DE UNA ENTRADA (19) DE GAS REACTIVO Y UN COLIMADOR (20).
|
