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发明名称
METHOD FOR FORMING BURIED CONTACT ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PN JUNCTION AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
摘要
申请公布号
KR20070035433(A)
申请公布日期
2007.03.30
申请号
KR20060092997
申请日期
2006.09.25
申请人
发明人
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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