| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de formation de silicium poreux dans une plaquette de silicium, comprenant les étapes suivantes : former, selon un procédé TGZM, des piliers d'aluminium-silicium traversant la plaquette de silicium ; et effectuer une électrolyse de la plaquette de silicium en utilisant au moins un bain d'acide fluorhydrique placé contre une des faces de la plaquette, d'où il résulte que les piliers d'aluminium-silicium sont remplacés par des piliers en silicium poreux. |
