发明名称 Shallow trench isolation method and method for fabricating semiconductor device using the same
摘要
申请公布号 KR100701998(B1) 申请公布日期 2007.03.30
申请号 KR20010022372 申请日期 2001.04.25
申请人 发明人
分类号 H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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