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Bei Halbleiterbauteilen wie aus SiC hergestellten vertikalen Graben-MOSFETs besteht das Bestreben, das Entstehen einer erheblichen Streuung des Kanalwiderstands ohne erhebliche Erhöhung des Mittelwerts des Kanalwiderstands zu verhindern. Es werden 4H-SiC-Substrate (31-37) verwendt, deren Hauptfläche (30) im wesentlichen eine {0001}-Fläche ist und die einen Verschiebungs-Winkel alpha haben, sowie eine Vorrichtung zum Bilden eines Grabens (38), in dem eine Standardabweichung bei der Streuung des durch die Grabenseitenwandfläche (44) und die Substrat-Hauptfläche (30) innerhalb einer Scheibenfläche gebildeten Winkels einen Wert sigma hat. Durch Festsetzen eines konzipierten Werts des durch die Grabenseitenwandfläche (44) und die Substrat-Hauptfläche (30) gebildeten Winkels auf einen willkürlichen Wert innerhalb des Bereichs von [(60 DEG ) + 2sigma] bis [(90 DEG ) - tan·-1· (0,87 È tan alpha) - 2sigma], um den Graben im SiC-Substrat zu bilden, wird ein Halbleiterbauteil erhalten, bei dem der durch die Grabenseitenwandfläche und die Substrat-Hauptfläche gebildete Winkel im Bereich von mindestens 60 DEG bis höchstens [(90 DEG ) - tan·-1· (87 È tan alpha)] liegt.
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