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经营范围
发明名称
Method for manufacturing fin field effect transistor
摘要
申请公布号
KR100701691(B1)
申请公布日期
2007.03.29
申请号
KR20050027947
申请日期
2005.04.04
申请人
发明人
分类号
H01L29/78;H01L21/318
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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