Phasenwechselspeicherbauelement mit direktem Zugriff und globalen und lokalen Bitleitungen

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Phasenwechselspeicherbauelement mit direktem Zugriff mit einer globalen Bitleitung (GBL0 bis GBLn), die mit einer Schreibschaltung und einer Leseschaltung verbunden ist, einer Mehrzahl von lokalen Bitleitungen (BL0 bis BL3), die jeweils mit einer Mehrzahl von Phasenwechselspeicherzellen (101 bis 116) verbunden sind, und einer Mehrzahl von Spaltenauswahltransistoren (YSEL0 bis YSEL7), welche die globale Bitleitung selektiv mit jeder der Mehrzahl von lokalen Bitleitungen verbinden. DOLLAR A Erfindungsgemäß weist jeder Spaltenauswahltransistor einen Widerstandswert auf, der vom Abstand zur Schreibschaltung und/oder der Leseschaltung abhängig ist. DOLLAR A Verwendung z. B. in tragbaren Mediasystemen.