| 摘要 |
Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements wird ein Liner über einem leitenden Gebiet eines Wafers abgeschieden und eine Schablonenschicht wird über dem Liner abgeschieden. Die Schablonenschicht und der Liner werden geätzt, um eine Schablonenstruktur für eine leitende Schicht auszubilden. Ein zweiter Liner wird über exponierten Oberflächen der Schablonenstruktur abgeschieden, und die exponierten horizontalen Oberflächen des zweiten Liners werden durch Sputtern entfernt. Eine einen niedrigen k-Wert aufweisende dielektrische Schicht wird dann über dem Wafer abgeschieden, und der Wafer wird durch chemisch-mechanisches Polieren bis hinunter zur Schablonenstruktur planarisiert. Die Schablonenstruktur wird durch eine Nassätzung entfernt, um eine Öffnung in dem Wafer auszubilden, wodurch der Liner und verbleibende Abschnitte des zweiten Liners exponiert werden. Metall wird in der Öffnung abgeschieden, und die Oberfläche des Wafers wird durch chemisch-mechanisches Polieren replanarisiert, um eine planare Oberfläche für zusätzliche Metallisierungsschichten herzustellen, die möglicherweise abgeschieden werden.
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