| 发明名称 | 存储器件 | ||
| 摘要 | 一种存储单元由其栅极连接到字线和其漏极连接到位线的FET、其一端连接到所述FET的源极和另一端连接到第一电源的电容器、提供在字线和FET的源极之间的第一负微分电阻器件、提供在FET的源极和第二电源之间的第二负微分电阻器件形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1307646C | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN02127659.5 | 申请日期 | 2002.08.06 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 植村哲也 |
| 分类号 | G11C11/401(2006.01) | 主分类号 | G11C11/401(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;关兆辉 |
| 主权项 | 1.一种具有提供在字线和位线的交点的存储元件的存储器件，所述存储元件包括：FET，其栅极连接到所述字线，其漏极连接到所述位线；电容器，其一端连接到所述FET的源极，另一端连接到第一电源；提供在所述字线和所述FET的所述源极之间的电阻元件；提供在所述FET的所述源极和第二电源之间的负微分电阻元件。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||