发明名称 |
半导体设备及其制造方法 |
摘要 |
提供了一种分压电阻电路,它具有准确的分压比、小的电阻值温度系数、和高的精度,并提供了一种采用这种分压电阻电路的具有高精度和小温度系数的半导体设备,例如电压探测器或电压调整器。在采用薄膜电阻器的分压电阻电路中,位于薄膜电阻器上方和下方的导体,被制作成具有与薄膜电阻器基本上相同的电位。而且,当多晶硅被用于薄膜电阻器时,多晶硅薄膜电阻器的膜厚被减薄,且引入到多晶硅薄膜电阻器中的杂质被设定为P型。于是抑制了电阻值的变化,并使电阻值的温度依赖性小。 |
申请公布号 |
CN1307719C |
申请公布日期 |
2007.03.28 |
申请号 |
CN01125139.5 |
申请日期 |
2001.08.30 |
申请人 |
精工电子有限公司 |
发明人 |
椎木美香;鹰巢博昭 |
分类号 |
H01L27/01(2006.01);H01C7/00(2006.01);H01C1/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/01(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
罗朋;梁永 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包含:多个串联连接以便形成一个分压电阻电路的薄膜电阻器,每个薄膜电阻器由掺杂了B或BF2的P型杂质的多晶硅膜构成并且具有两个端部,每个端部具有一个高杂质浓度区;位于薄膜电阻器上方的第一绝缘膜;连接到薄膜电阻器的端部用于串联连接薄膜电阻器的多个第一导体;以及多个第二导体,每个第二导体连接到所述第一导体中的相应一个并且通过所述第一绝缘膜位于所述薄膜电阻器中的相应一个的上方。 |
地址 |
日本千叶县 |