| 发明名称 | 复合缓冲层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种采用复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法，AlGaN/GaN单异质结高电子迁移率晶体管的电子被一个量子阱所限制，在缓冲层和沟道层之间插入AlGaN缓冲层形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构，有利于提高缓冲层一侧的势垒高度，增加沟道中基态和激发态电子的量子限制作用，提高器件的夹断性能和输出功率。 | ||
| 申请公布号 | CN1937246A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200610096644.0 | 申请日期 | 2006.10.16 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 李忠辉;薛舫时;陈辰;董逊 |
| 分类号 | H01L29/775(2006.01);H01L21/335(2006.01) | 主分类号 | H01L29/775(2006.01) |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 徐冬涛;瞿网兰 |
| 主权项 | 1、一种复合缓冲层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征是它由：一个衬底(1)；一个生长在衬底(1)上的成核层(2)；一个履盖在成核层(2)之上的由高阻GaN层(3)和AlGaN层(4)组成的氮化物复合缓冲层；一个生长在缓冲层上氮化物沟道层(5)；一个生长在沟道层(5)上的隔离层(6)；一个生长在隔离层(6)上的AlGaN势垒层(7)和一个位于最上层的帽层组成。 | ||
| 地址 | 210016江苏省南京市中山东路524号 | ||