| 发明名称 | 可以充分吸收更广泛波长太阳光的太阳能电池结构 | ||
| 摘要 | 可以充分吸收太阳光谱的太阳能电池结构，通过将染料增感塑性膜或纳米碳管淀积在硅太阳能电池的前电极上，和覆盖ITO透明导电玻璃层而构成的新的硅太阳能电池结构，具有双P－N结，可以增加太阳能电池对太阳光光谱内较长波长太阳光的吸收，使硅太阳能电池的光电转换效率显著提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1937258A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200510029974.3 | 申请日期 | 2005.09.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 苏晓平;江彤 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01);H01L31/068(2006.01) | 主分类号 | H01L31/042(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1.可以充分吸收太阳光谱内更广泛波长太阳光的太阳能电池结构，包括：背电极；P型硅衬底，用于形成P-N结；N+阱，用于形成P-N结；前电极；抗反射层；黑色染料涂层，用于吸收较长波长的太阳光谱；氧化铟锡透明导电玻璃，覆盖在涂敷黑色染料涂层的硅太阳能电池表面，进行密封后保护； | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||