发明名称 | 晶片清洗工艺以及形成开口的方法 | ||
摘要 | 一种晶片清洗工艺,适用于在一晶片上进行一蚀刻工艺之后进行。其中晶片具有一晶片圆心、一晶片半径以及一晶片边缘。而此方法包括以一喷嘴传导一清洗溶液至晶片上方,且同时喷嘴以晶片圆心为一中心,沿着一移动路径,于晶片圆心的附近上方来回移动。 | ||
申请公布号 | CN1937171A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
申请号 | CN200510109786.1 | 申请日期 | 2005.09.20 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈博仁 |
分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3105(2006.01);B08B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 1、一种晶片清洗工艺,适用于在一晶片上进行一蚀刻工艺之后进行,其中该晶片具有一晶片圆心、一晶片半径以及一晶片边缘,该方法包括:以一喷嘴传导一清洗溶液至该晶片上方,且同时该喷嘴以该晶片圆心为一中心,沿着一移动路径,于该晶片圆心的附近上方来回移动。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |