| 发明名称 | 形成碳纳米管的方法及其形成半导体金属线和电感的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通过在凹槽内填充碳纳米管以制备半导体器件的方法。所述的制备半导体器件方法包括：在衬底上图形化一层掩膜；在凹槽和通过图形化形成的掩膜的整个表面覆盖碳纳米管；将覆盖在整个掩膜表面的碳纳米管填进凹槽；去掩膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1937172A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200610112308.0 | 申请日期 | 2006.08.31 |
| 申请人 | 韩国科学技术院 | 发明人 | 李炳喆;李政彦;崔梁圭;尹浚宝 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/288(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01F41/00(2006.01);C01B31/02(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上形成碳纳米管的方法，包括步骤：在衬底上表面图形化一层掩膜以形成凹槽；在图形化的凹槽和掩膜上表面覆盖碳纳米管；将覆盖在掩膜上表面的碳纳米管填进凹槽；和去掩膜。 | ||
| 地址 | 韩国大田广域市儒城区九城洞373－1 | ||