| 发明名称 | 利用集成电路后段工艺实现的单芯片陀螺仪装置 | ||
| 摘要 | 本发明有关于一种集成电路(IC)后段工艺实现的单芯片陀螺仪装置，其包括一基板、多个金属层、多个介电层以及多个介层孔：其中金属层形成于基板上，底层介电层形成于该基板及该底层金属层间，其余这些介电层的任一层形成于这些金属层间，这些金属层以及这些介电层形成一机械结构体，介层孔连接金属层，并裸露于这些介质层外，以防止这些介电层被侧蚀刻，同时形成金属侧壁，与金属层形成环状对称的机械结构体，提供方便的蚀刻工艺、较佳的信号灵敏度以及简易的线路设计。 | ||
| 申请公布号 | CN1936501A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200510104129.8 | 申请日期 | 2005.09.19 |
| 申请人 | 沛亨半导体股份有限公司 | 发明人 | 温荣弘;方维伦 |
| 分类号 | G01C19/02(2006.01) | 主分类号 | G01C19/02(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;郑特强 |
| 主权项 | 1、一种单芯片陀螺仪装置，其至少包括：一基板；多个金属层，其形成于该基板上；多个介电层，其中该底层介电层形成于该基板及该底层金属层间，其余这些介电层的任一层形成于这些金属层间，这些金属层以及这些介电层形成一机械结构体；以及多个介层孔，其连接这些金属层，并裸露于这些氧化层外，以防止这些介电层被侧蚀刻。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||