| 发明名称 | 多波长半导体激光器器件 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种多波长半导体激光器器件，通过使每一波长的半导体激光器具有对各波长的出射光取得最佳FFP的不同长度的窗区域，能使各波长具有程度相同的光输出依赖性，从而能方便地进行光学系统的设计。 | ||
| 申请公布号 | CN1937338A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200610100361.9 | 申请日期 | 2006.06.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 高山彻;木户口勋;鹿岛孝之 |
| 分类号 | H01S5/40(2006.01);H01S5/34(2006.01);H01S5/10(2006.01);H01S5/16(2006.01) | 主分类号 | H01S5/40(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1、一种多波长半导体激光器器件，其特征在于，在同一衬底上以单片方式形成输出波长不同的多个半导体激光器，所述半导体激光器的激活层为量子阱结构，所述激活层上具有台面状隆起部，并且所述多个半导体激光器的每一个，对所述激活层的端面部扩散杂质后形成的窗区域的长度不同。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||