| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 具有：在源极/漏极扩散层64上形成Ni膜66的工序；通过进行热处理，使Ni膜66中的下层侧的部分和源极/漏极扩散层64中的上层侧的部分反应，在源极/漏极扩散层64上形成Ni<SUB>2</SUB>Si膜70b的第一热处理工序；有选择地蚀刻除去Ni膜66中的未反应的部分的工序；通过进行热处理，进一步使Ni<SUB>2</SUB>Si膜70b源极/漏极扩散层64中的上层侧的部分反应的第二热处理工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1938825A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200580010207.6 | 申请日期 | 2005.05.10 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 川村和郎 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具有：栅极电极，其形成在半导体基板上；源极/漏极扩散层，其形成在上述栅极电极的两侧的上述半导体基板内；硅化物膜，其形成在上述源极/漏极扩散层上，上述硅化物膜由镍单硅化物构成，上述硅化物膜的膜厚为20nm以下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||