| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括半导体衬底，具有光电二极管和晶体管。层间绝缘层形成在半导体衬底的整个表面上。第一、第二和第三滤色镜层在层间绝缘体上以规则间隔形成。第一、第二和第三微透镜分别形成在第一、第二和第三滤色镜层上。微透镜具有至少两个不同的曲率。 | ||
| 申请公布号 | CN1937238A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200610154065.7 | 申请日期 | 2006.09.22 |
| 申请人 | 东部电子有限公司 | 发明人 | 黄俊 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底，具有光电二极管和晶体管；层间绝缘层，形成在半导体衬底的整个表面上；第一、第二和第三滤色镜层，在层间绝缘体上以规则间隔形成；以及对应于第一滤色镜层的第一微透镜、对应于第二滤色镜层的第二微透镜、以及对应于第三滤色镜层的第三微透镜，形成在每个对应的滤色镜层上，其中第一、第二和第三微透镜具有至少两个不同的曲率。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||