发明名称 |
半导体晶片清洗系统 |
摘要 |
一种微电子基片处理装置,包括彼此隔开一定距离的第一和第二支承件,该第一支承件具有一系列上部齿,该上部齿形成沿第一支承件长度延伸的一系列上部凹槽,还包括一系列下部齿,该下部齿形成一系列沿第一支承件长度延伸的一系列下部凹槽,该上部和下部凹槽中的各个凹槽的开口对着第二支承构件,其中该上部和下部凹槽彼此错开预定的错开距离,使得微电子装置被支承在第一和第二支承件之间时,该微电子基片的边缘将被各不相同地嵌入到第一支承件的上部和下部凹槽中。 |
申请公布号 |
CN1307009C |
申请公布日期 |
2007.03.28 |
申请号 |
CN02824798.1 |
申请日期 |
2002.11.12 |
申请人 |
FSI国际公司 |
发明人 |
蒂姆·W·赫布斯特;托德·马切伊;特蕾西·A·加斯特;托马斯·J·瓦格纳;凯文·L·西费林 |
分类号 |
B08B3/00(2006.01);B65D85/48(2006.01);B65G65/00(2006.01) |
主分类号 |
B08B3/00(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王彦斌 |
主权项 |
1.一种用于浸没式处理至少一个微电子基片的处理装置,该装置包括第一和第二支撑件,该第一和第二支撑件从一支撑部件上伸出,并且在操作上彼此分开一定距离,以支撑该至少一个微电子基片,该第一支撑件包括:一系列的上部齿,该齿沿第一支撑件长度延伸,并形成一系列的上部凹槽,该凹槽开口对着第二支撑件,以便在微电子基片由第一和第二支撑件支撑时,接收该微电子基片的边缘,该上部齿具有基片啮合表面,该表面相对于上部齿延伸方向是倾斜的,以便在一系列上部齿的方向啮合和压着该基片;一系列的下部齿,该齿沿第一支撑件长度延伸,并形成一系列的下部凹槽,该凹槽的开口对着第二支撑件,以便在微电子基片由第一和第二支撑件支撑时,接收该微电子装置的边缘;其中,上部和下部凹槽彼此错开第一预定错开距离,使得微电子基片支撑在第一和第二支撑件之间时,该微电子基片的边缘可以各不相同地嵌入到第一支撑件的上部和下部凹槽中。 |
地址 |
美国明尼苏达 |