| 发明名称 |
PROCESS FOR MANUFACTURE OF MOS GATED DEVICE WITH REDUCED MASK COUNT |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0777910(B1) |
申请公布日期 |
2007.03.28 |
| 申请号 |
EP19950929600 |
申请日期 |
1995.08.17 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
KINZER, DANIEL, M. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/332;H01L21/768;H01L29/10;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/744;H01L29/749;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
