| 发明名称 | 增加内量子效率的半导体发光二极管的量子阱结构 | ||
| 摘要 | 一种增加内量子效率的半导体发光二极管的量子阱结构，其特征在于：将原位电子俘获发射层3或原位空穴俘获发射层4通过具有高隧穿几率的隧穿势垒层5与量子阱层2连接，层1，3或4，5和2组成一个周期，进行重复，周期数可选择从1至10，最上和最下层均为势垒层1；原位电子俘获发射层3或原位空穴俘获发射层4的厚度介于1nm至3nm。这种结构作为有源层，可以有效地增加电子或空穴的俘获几率，从而提高氮化镓基蓝绿光发光二极管内量子效率，增加其发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1937267A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200610124789.7 | 申请日期 | 2006.10.18 |
| 申请人 | 武汉华灿光电有限公司 | 发明人 | 刘伟 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/343(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 朱必武 |
| 主权项 | 1、一种增加内量子效率的半导体发光二极管的量子阱结构，其特征在于：将原位电子俘获发射层(3)或原位空穴俘获发射层(4)通过具有高隧穿几率的隧穿势垒层(5)与量子阱层(2)连接，层(1)，(3)或(4)，(5)和(2)组成一个周期，进行重复，周期数可选择从1至10，最上和最下层均为势垒层(1)；原位电子俘获发射层(3)或原位空穴俘获发射层(4)的厚度介于1nm至3nm。 | ||
| 地址 | 430223湖北省武汉市东湖新技术开发区武大科技园创业楼2015室 | ||