发明名称 |
EEPROM及其驱动方法 |
摘要 |
本发明涉及一种EEPROM(电可擦除且可编程只读存储器),具有第一MOS晶体管(2、4、5a-5c)以及第二MOS晶体管(3、4、6a-6c)。第一MOS晶体管(2、4、5a-5c)以及第二MOS晶体管(3、4、6a-6c)具有公共栅电极(4)且构成一个存储单元。通过利用第一MOS晶体管(2、4、5a-5c)进行编程操作和擦除操作。通过利用第二MOS晶体管(3、4、6a-6c)进行读取操作。 |
申请公布号 |
CN1937229A |
申请公布日期 |
2007.03.28 |
申请号 |
CN200610154069.5 |
申请日期 |
2006.09.22 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
田中浩治 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01);G11C16/04(2006.01);G11C16/06(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
关兆辉;陆锦华 |
主权项 |
1.一种EEPROM,包括:第一MOS晶体管;和第二MOS晶体管,其中所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管具有公共栅电极并且构成一个存储单元,其中通过利用所述第一MOS晶体管执行编程操作和擦除操作,以及通过利用所述第二MOS晶体管执行读取操作。 |
地址 |
日本神奈川 |