发明名称 SELF-ALIGNED TRANSISTOR AND DIODE TOPLOGIES IN SILICON CARBIDE THROUGH THE USE OF SELECTIVE EPITAXY OR SELECTIVE IMPLANTATION
摘要
申请公布号 EP1428248(A4) 申请公布日期 2007.03.28
申请号 EP20020806537 申请日期 2002.07.12
申请人 MISSISSIPPI STATE UNIVERSITY 发明人 CASADY, JEFFREY, B.;CARTER, GEOFFREY, E.;KOSHKA, YAROSLAV;MAZZOLA, MICHAEL, S.;SANKIN, IGOR
分类号 H01L21/04;H01L21/331;H01L29/24;H01L29/732;H01L29/739;H01L29/80;H01L29/861 主分类号 H01L21/04
代理机构 代理人
主权项
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