发明名称 | 磁共振成像系统 | ||
摘要 | 本发明涉及一种磁共振成像(MRI)系统。当施加高磁场时,这种系统会面临对射频(RF)场不均匀性产生额外作用的问题。本发明试图改进对于高场强的RF场的均匀性,特别是对于3特斯拉或3特斯拉以上的高场强的RF场的均匀性。为了改进均匀性,在系统的空腔(2)内定位导电材料(4)。该材料具有确保在垂直于空腔对称轴的xy平面内总径向电导变为各向同性的导电率和厚度。 | ||
申请公布号 | CN1938600A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
申请号 | CN200580010099.2 | 申请日期 | 2005.03.21 |
申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | M·富德尔;F·P·A·J·M·唐德斯 |
分类号 | G01R33/422(2006.01) | 主分类号 | G01R33/422(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 龚海军;梁永 |
主权项 | 1、一种用于磁共振成像的系统,包括:基本上圆筒形的空腔(2);其中空腔(2)在z轴方向具有对称轴;其中对象(3)可以在空腔内受到检查;其中对象(3)具有电导率,该电导率在垂直于z轴的xy平面内不是各向同性的;其特征在于将导电材料(4)放置在空腔(2)内,其中材料(4)所具有的导电性和厚度使得空腔内xy平面中的总电导率呈现各向同性。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |