发明名称 |
促进多孔低k膜与下方阻挡层的粘附的技术 |
摘要 |
通过形成比其上方的多孔低k膜碳含量更低、氧化硅含量更高的中间层,改善了多孔低k膜与下方的阻挡层的粘附。粘附层可以单独或者组合使用多种技术来形成。在一个方案中,紧接低k材料的沉积之前,可以通过引入富氧化气体,诸如O<SUB>2</SUB>/CO<SUB>2</SUB>等,来氧化Si前驱体,形成粘附层。在另一个方案中,在低k膜沉积之前,去除诸如α-萜品烯、异丙基苯或者其它非含氧有机物之类的热不稳定化学品。在另一个方案中,诸如引入非含硅组分的方式的硬件或处理参数可以被修改,以使得在低k膜沉积之前可以形成氧化物界面。在另一个方案中,诸如剂量和能量之类的电子束处理参数或者热退火的使用,可以被控制来去除阻挡材料和低k膜中间的界面处的碳物质。在另一个方案中,在低k沉积之前可以引入预处理等离子体,以增强阻挡界面的加热,使得在低k沉积气体被引入并且沉积低k膜时形成薄的氧化物界面。 |
申请公布号 |
CN1938833A |
申请公布日期 |
2007.03.28 |
申请号 |
CN200580010028.2 |
申请日期 |
2005.03.24 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
福兰斯马尔·斯楚弥特;亚历山德罗斯·T·迪莫斯;德里克·R·维蒂;海澈姆·穆萨德;安相和;莱斯特·A·德库兹;卡勒德·A·埃彻尔;崔振江 |
分类号 |
H01L21/316(2006.01);H01L21/3105(2006.01);C23C16/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
赵飞 |
主权项 |
1.一种用于促进纳米多孔低k膜和下方的衬垫/阻挡层之间的粘附的方法,所述方法包括:提供具有衬垫/阻挡层的衬底;在所述衬垫/阻挡层上形成氧化硅粘附层;在所述粘附层上沉积低k膜;以及固化所沉积的所述低k膜,以在其中形成纳米孔。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |