发明名称 | 利用自旋转移的垂直磁化磁性元件 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于提供能够在磁性存储器中使用的磁性元件的方法和系统。该方法和系统包括提供第一被钉扎层、阻挡层、自由层、导电非磁性间隔层和第二被钉扎层。每个被钉扎层具有被钉扎层易轴。所述被钉扎层易轴的至少一部分处于垂直方向。所述阻挡层位于第一被钉扎层和自由层之间。所述间隔层位于自由层和第二被钉扎层之间。所述自由层具有自由层易轴,该自由层易轴的至少一部分处于垂直方向。所述磁性元件还配置成,当写入电流通过磁性元件时允许由于自旋转移效应而切换自由层。由于垂直磁化,用于自旋转移的写入电流可极大减小。 | ||
申请公布号 | CN1938780A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
申请号 | CN200580010520.X | 申请日期 | 2005.02.24 |
申请人 | 弘世科技公司 | 发明人 | 怀一鸣 |
分类号 | G11C11/14(2006.01) | 主分类号 | G11C11/14(2006.01) |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
主权项 | 1.一种磁性元件,包括:具有第一被钉扎层易轴的第一被钉扎层,所述第一被钉扎层易轴的至少一部分处于垂直方向;间隔层,所述间隔层是非磁性的和导电的;自由层,所述间隔层位于第一被钉扎层和自由层之间,所述自由层具有自由层易轴,所述自由层易轴的至少一部分处于垂直方向;阻挡层,所述阻挡层为绝缘体且具有允许隧穿阻挡层的厚度;具有第二被钉扎层易轴的第二被钉扎层,所述第二被钉扎层易轴的至少一部分处于垂直方向,所述阻挡层位于自由层和第二被钉扎层之间;其中所述磁性元件被配置成,当写入电流通过磁性元件时允许由于自旋转移而切换自由层。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |