| 发明名称 | 形成沟道隔离区的方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括形成沟道隔离区的方法。在一个实施中，在半导体基片上形成屏蔽材料。所述屏蔽材料包括钨、氮化钛和无定形碳的至少一种。穿过所述屏蔽材料并进入所述半导体基片中形成孔，在所述半导体基片的半导电材料内部有效形成隔离沟道。在所述隔离沟道内部并在所述沟道之外的所述屏蔽材料上形成沟道隔离材料，有效过量填充所述隔离沟道。将所述沟道隔离材料至少抛光到所述屏蔽材料的所述钨、氮化钛和无定形碳至少一种的最外表面。从所述基片蚀刻所述钨、氮化钛和无定形碳的至少一种。其它实施和方面是预期的。 | ||
| 申请公布号 | CN1938831A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200580010495.5 | 申请日期 | 2005.03.25 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | G·J·戴德里安;M·H·曼宁 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/308(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王旭 |
| 主权项 | 1.一种形成沟道隔离区的方法，其包括：在半导体基片上形成屏蔽材料；所述屏蔽材料包括钨、氮化钛和无定形碳的至少一种；穿过所述屏蔽材料并进入所述半导体基片中形成孔，在所述半导体基片的半导电材料内部有效形成隔离沟道；在所述隔离沟道内部并在所述沟道之外的所述屏蔽材料上形成沟道隔离材料，有效过量填充所述隔离沟道；将所述沟道隔离材料至少抛光到所述屏蔽材料的所述钨、氮化钛和无定形碳至少一种的最外表面；和从所述基片蚀刻所述钨、氮化钛和无定形碳的至少一种。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷 | ||