CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

在CMOS图像传感器的制造过程中，在将重掺p型杂质离子注入到PMOS晶体管中时，将重掺p型杂质离子(例如，B)注入假沟槽区中，使得金属离子污染被去除。从而，提供了一种CMOS图像传感器，可通过吸收金属离子污染而减小泄漏电流。

主权项

1.一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底，其中限定了光电二极管区、第一和第二导电类型晶体管区、场效应区、和假沟槽区；元件隔离膜，形成于所述场效应区中；光电二极管，形成于所述半导体衬底的所述光电二极管区中；第一导电类型阱区和第二导电类型阱区，分别形成于所述第一和第二导电类型晶体管区中；栅电极，形成于所述第一和第二导电类型晶体管区上，并有栅极绝缘膜介于所述栅电极与所述第一和第二导电类型晶体管区之间；轻掺第一导电类型杂质区和轻掺第二导电类型杂质区，分别形成于位于所述栅电极两侧的第二阱区和第一阱区中；重掺第一导电类型杂质区和重掺第二导电类型杂质区，分别形成于位于所述栅电极的两侧的所述第一阱区和所述第二阱区中；以及重掺第一导电类型第三杂质区，形成于所述假沟槽区中。