| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：栅绝缘层和栅电极、低密度第二导电扩散区、高密度第二导电扩散区、以及高密度第一导电扩散区。栅绝缘层和栅电极顺序形成在限定为光电二极管区和晶体管区的第一导电衬底的有源区上。低密度第二导电扩散区形成在光电二极管区上。高密度第二导电扩散区形成在晶体管区上。高密度第一导电扩散区形成为用于包封晶体管区上的高密度第二导电扩散区。 | ||
| 申请公布号 | CN1937237A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200610154064.2 | 申请日期 | 2006.09.22 |
| 申请人 | 东部电子有限公司 | 发明人 | 任劤爀 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器，包括：栅绝缘层和栅电极，顺序形成在限定为光电二极管区和晶体管区的第一导电衬底的有源区上；低密度第二导电扩散区，形成在光电二极管区上；高密度第二导电扩散区，形成在晶体管区上；以及高密度第一导电扩散区，形成为包封晶体管区上的高密度第二导电扩散区。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||