一种碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法

摘要

本发明属于化工技术领域，具体涉及一种具有光电活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法。该方法以碳化钛为原料，经过阳极氧化制备得碳掺杂纳米二氧化钛薄膜，其中输入电压为10～20V，氧化时间为1～3小时，在通电过程中，表面的碳化钛被氧化形成含C的TiO₂薄膜。本发明方法制备的含C的TiO₂薄膜具有多孔的纳米结构，并具有典型的n型半导体的特征，具有高的光电活性，可在太阳能电池、光分解水制氢等方面具有应用前景。

主权项

1、碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于以碳化钛薄膜为原材料，经过阳极氧化制备得碳掺杂纳米二氧化钛薄膜，具体步骤是，使用一直流稳压电源或恒电位仪，其正极与碳化钛薄膜连接，负极与对电极石墨连接，调节直流稳压电源的输入电压为10～20V，控制氧化时间为1～3小时，电解液采用含0.5wt％NH4F的0.5M～1M(NH4)2SO4 溶液；氧化过程中对溶液进行磁力搅拌，在通电的过程中，表面的碳化钛被氧化形成含C的TiO2薄膜。