| 发明名称 | 金属硅酸盐膜的成膜方法及其装置、半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 将HTB气体和乙硅烷气体导入处理容器(1)内，通过CVD在硅基板(W)上形成硅酸铪膜。通过埋设在支撑基板的基座(2)上的加热器(5)，控制基板温度，进行成膜。该成膜时的基板温度控制在HTB分解成氢氧化铪和异丁烯的温度以上、并且小于乙硅烷气体的自身分解温度，优选在350℃～450℃。 | ||
| 申请公布号 | CN1938832A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200580009935.5 | 申请日期 | 2005.03.30 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 高桥毅;青山真太郎 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种成膜方法，其特征在于，包括：准备基板的工序；和通过使用金属醇盐气体和硅氢化物气体的CVD，在所述基板上形成金属硅酸盐膜的工序，所述成膜工序，将所述基板的温度设定为所述金属醇盐分解成金属氢氧化物和一定的中间体的温度以上、并且小于所述硅氢化物的自身分解温度而进行。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||