用于形成用于应变硅MOS晶体管的第二隔片的方法和结构

摘要

本发明提供一种形成CMOS半导体器件的方法。该方法包括提供半导体衬底(例如硅晶片)，并形成上覆于所述半导体衬底的电介质层(例如二氧化硅、氧氮化硅)。该方法包括形成上覆于电介质层的栅极层，并且图案化栅极层，以形成包括多个边缘的栅极结构。该方法包括形成上覆于栅极结构的电介质层，以保护包括多个边缘的栅极结构。优选地，所述电介质层的厚度小于40纳米。该方法包括利用所述电介质层作为保护层，刻蚀紧邻栅极结构的源区和漏区，并将硅锗材料沉积到源区和漏区中，以填充被刻蚀的源区和被刻蚀的漏区。该方法使得源区和漏区之间的沟道区由于形成在源区和漏区中的至少所述硅锗材料以压缩模式发生应变。该方法包括形成上覆于表面的第二保护层，以及对第二保护层进行各向异性刻蚀工艺，以形成隔片结构来密封栅极结构。

主权项

1.一种用于形成CMOS半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；形成上覆于所述半导体衬底的电介质层；形成上覆于所述电介质层的栅极层；图案化所述栅极层，以形成包括多个边缘的栅极结构；形成上覆于所述栅极结构的电介质层，以保护包括所述多个边缘的所述栅极结构，所述电介质层的厚度小于40纳米；利用所述电介质层作为保护层，刻蚀紧邻所述栅极结构的源区和漏区；将硅锗材料沉积到所述源区和所述漏区中，以填充所述被刻蚀的源区和所述被刻蚀的漏区；使得所述源区和所述漏区之间的沟道区由于形成在所述源区和所述漏区中的至少所述硅锗材料以压缩模式发生应变；形成上覆于表面的第二保护层；以及对所述第二保护层进行各向异性刻蚀工艺，以形成隔片结构来密封所述栅极结构。