InP单晶锭退火处理方法

摘要

一种InP单晶锭退火处理方法，包括如下步骤：步骤1：将生长出的InP单晶表面用去离子水清洗，去掉残留的氧化硼；步骤2：然后用有机溶剂擦洗，用去离子水冲洗后晾干待用；步骤3：准备石英管和封泡，用王水浸泡后去离子水冲洗干净，烘干待用；步骤4：将晶体直接放入石英管内，同时放入红磷；步骤5：然后放封泡后用机械泵抽真空，用氢氧焰烧结封口；步骤6：将装有晶体的石英管放入退火炉内退火，完成InP单晶锭退火处理。本发明可以解决生长出的化合物半导体单晶InP中存在着很高的残留热应力，极容易造成晶体在切割过程中开裂以及晶片在研磨、抛光、清洗和使用过程中碎裂，提高晶体的质量。

主权项

1、一种InP单晶锭退火处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将生长出的InP单晶表面用去离子水清洗，去掉残留的氧化硼；步骤2：然后用有机溶剂擦洗，用去离子水冲洗后晾干待用；步骤3：准备石英管和封泡，用王水浸泡后去离子水冲洗干净，烘干待用；步骤4：将晶体直接放入石英管内，同时放入红磷；步骤5：然后放封泡后用机械泵抽真空，用氢氧焰烧结封口；步骤6：将装有晶体的石英管放入退火炉内退火，完成InP单晶锭退火处理。