发明名称 结构改良的发光二极管
摘要 本实用新型涉及一种结构改良的发光二极管,主要设置有具多个接点的基板,且基板设置有一个或一个以上贯穿基板的透孔,而透孔有收容基座,且基座放置有发光二极管晶粒,发光二极管晶粒的电极与导线一侧相连接,并于导线另一侧与基板上的接点相连接,使发光二极管晶粒与基板所设置的接点呈电性连接,当发光二极管照射光线时,可利用基座提供发光二极管更多的电流,以及利用基座使发光二极管晶粒达到散热的功能,再者,基板所设置的透孔可以聚集由发光二极管晶粒所照射出的光线,以达到增强发光二极管晶粒所照射出的光线强度。
申请公布号 CN2884534Y 申请公布日期 2007.03.28
申请号 CN200520143087.4 申请日期 2005.12.21
申请人 光楠科技股份有限公司 发明人 何英明
分类号 H01L25/075(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L23/36(2006.01);H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L25/075(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 陈肖梅;谢丽娜
主权项 1.一种结构改良的发光二极管,该结构改良的发光二极管设置有基板、基座以及发光二极管晶粒;其特征在于:该基板设有一个或一个以上贯穿基板的透孔,且于基板表面设置有多个接点;该基座收容于贯穿基板的透孔内;该发光二极管晶粒放置于基座上,且发光二极管晶粒可利用导线与基板所设置的接点呈电性连接。
地址 台湾台北县中和市中山路二段371之1号5楼