| 发明名称 | 形成于绝缘体上硅结构上并具有减小的上电漂移的传感器 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构，包括：通过绝缘材料层分离的上下半导体材料层。形成在上层中的电阻器连接成具有输出的惠斯通电桥布置。第一电压供电给该电桥。连接于下半导体材料层的第二电压具有为减小传感器上电后的输出漂移而选择的值。 | ||
| 申请公布号 | CN1307412C | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN02828184.5 | 申请日期 | 2002.12.03 |
| 申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | R·L·约翰逊 |
| 分类号 | G01L9/06(2006.01);G01K7/00(2006.01);G01D5/12(2006.01) | 主分类号 | G01L9/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;张志醒 |
| 主权项 | 1、一种包含惠斯通电桥的传感器，包括：第一导电型的硅衬底；形成在所述硅衬底上的第二导电型的硅层；在所述硅层内且将所述硅层分为上层和下层的绝缘层；形成在所述上硅层中并互连成电桥布置的多个电阻器，所述电桥布置具有输出；用于将第一电压连接于所述电桥布置的装置；和用于将第二电压连接于所述下硅层的装置，所述第二电压的值选择为减小上电漂移。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||