摘要 |
Es ist ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers offenbart, der auf einer vorderen Oberfläche desselben mehrere durch Straßen getrennte Einrichtungen aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Aufkleben eines Klebefilms auf eine hintere Oberfläche des Halbleiterwafers; Schneiden des Halbleiterwafers entlang der Straßen, wobei Einrichtungsteile hergestellt werden; wobei der Klebefilm in eine Form und eine Größe durch einen Laserstrahl geschnitten wird, die identisch sind zu denen der Straßen; wobei der Halbleiterwafer so positioniert wird, dass die Straßen mit den Schnittlinien des Klebefilms zusammenfallen; und wobei der Klebefilm auf den Halbleiterwafer geklebt wird. |