| 主权项 |
1.一种决定具有绝缘驱动电极(G)之电晶体开关状 态之方法,该驱动电极(G)系基于开启周期内视驱动 信号(IN)而充电,或于关闭周期内基于该驱动信号( IN)而放电,且该电晶体系基于该驱动电极(G)而开启 或关闭,其中系评估该驱动电极(G)之充电及放电电 流(Ig)之时域轮廓或被储存于该驱动电极(G)之该电 荷之时域轮廓来决定该开关状态,且其中基于该开 关状态而提供一状态信号(ST)。 2.如申请专利范围第1项之方法,其包含该下列方法 步骤: -基于该充电及放电电流(Ig)以提供电流量测信号(S 1), -对时间整合该电流量测信号(S1)来提供一充电信 号(S2), -比较该充电信号(S2)及一第一参考信号(Vref1),基于 该比较结果以提供开关状态之状态信号(ST)。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中于一开启周期 期间,一充电电流(Ig)系流至该控制电极(G),该充电 信号(S2)之最大値(S2max)系被决定,且其中该第一参 考信号(Vref1)系基于该被决定之最大値(S2max)来设 定。 4.如申请专利范围第1项之方法,其具有该下列方法 步骤: -于该电晶体之一驱动周期期间:决定第一电荷量 被储存于该驱动电极(G)之第一瞬间点(t1)及第二电 荷量被储存于该驱动电极(G)之第二瞬间点(t2)间之 第一持续期间(TS), -于该电晶体之一接续驱动周期期间:决定第一电 荷量(Qg1)被储存于该驱动电极(G)之第三瞬间点, -提供一状态信号(ST),其具有第四瞬间点处之一位 准改变,该第四瞬间点系视该第三瞬间点(t3)及该 第一持续期间(TS)而定。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中该第一持续期 间(TS)系于该电晶体关闭周期内被决定。 6.如申请专利范围第1项之方法,其具有该下列方法 步骤: -于该电晶体之一驱动周期期间:决定第一电荷量 被储存于该驱动电极(G)之第一瞬间点(t1)及第二电 荷量被储存于该驱动电极(G)之第二瞬间点(t2)间之 第一持续期间(TS), -比较该第一持续期间(TS)及参考持续期间(Tref),及 基于该比较结果决定该第一电荷量値,及基于比较 结果产生该状态信号(ST)。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中当该第一持续 期间(TS)及该参考持续期间(Tref)间之差异小于一预 定门槛値时,该状态信号之下降边缘系基于该第一 瞬间点(t1)而产生。 8.如申请专利范围第6或7项之方法,其中当该第一 持续期间(TS)及该参考持续期间(Tref)间之差异大于 一预定门槛値时,该状态信号之下降边缘系基于该 第二瞬间点(t2)而产生。 9.如申请专利范围第1项之方法,其具有该下列方法 步骤: -基于充电及放电电流(Ig)提供一电流量测信号(S1), -于关闭周期期间:比较该电流量测信号(S1)及一参 考信号(Vref3), -提供一状态信号(ST),其于该关闭周期期间之该电 流量测信号大小超过该参考値(Vref3)之瞬间点处具 有第n次位准改变,其中n为大于1之整数。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中n=2。 11.一种决定具有绝缘驱动电极(G)之电晶体开关状 态之装置,其可被连接至该驱动电极(G)且其具有以 下特征: -一电流量测装置(20),其基于该电晶体(T)之充电及 放电电流(Ig)以提供一电流量测信号(S1), -一评估单元(30;40),该电流量测信号(S1)可被馈送至 且其基于该电流量测信号(S1)之时域轮廓以提供一 开关状态信号(ST),而定及表示开关状态。 12.如申请专利范围第11项之装置,其中该评估单元( 30)系具有以下特征: -一整合单元(31),该电流量测信号(S1)可被馈送至且 可提供充电信号(S2), -一比较器单元(32),该充电信号(S2)及一第一参考信 号(Vref1)可被馈送至且基于该充电信号(S2)及该第 一参考信号(Vref1)之比较而提供一状态信号(ST)。 13.如申请专利范围第12项之装置,其具有一最大値 获取单元(33),该充电信号(S2)可被馈送至且可提供 最大値信号(S2max),其表示在一预定时间间隔内之 充电信号(S2)最大値,该第一参考信号(Vref1)系视该 最大値信号(S2max)而定。 14.如申请专利范围第11项之装置,其中该评估单元( 30)系具有以下特征: -一整合单元(31),该电流量测信号(S1)可被馈送至且 可提供一充电信号(S2), -一第一比较器单元(32),该充电信号(S2)及第一参考 信号(Vref1)可被馈送至且基于该充电信号(S2)及该 第一参考信号(Vref1)之比较而提供一第一比较信号 (ST32), -一第二比较器单元(34),该充电信号(S2)及第二参考 信号(Vref2)可被馈送至且基于视该充电信号(S2)及 该第二参考信号(Vref2)之比较而提供一第二比较信 号(ST34), -一时间获取单元(35),该第一及第二比较信号(ST32, ST34)可被馈送至且基于视该第一比较信号(ST32)之 位准改变及该第二比较信号(ST34)之位准改变间之 时域距离而提供一时间信号(TS), -一组合单元(35),该第一比较信号(ST32)及该时间信 号(TS)可被馈送至且基于该第一比较信号(ST32)及该 时间信号(TS)而提供一状态信号(ST)。 15.如申请专利范围第14项之装置,其中该第二比较 信号(ST34)亦被馈送至该组合电路(35),当该时间信 号小于一预定値时,该组合单元(35)系被设计输出 第二比较信号(ST34)以做为状态信号(ST)。 16.如申请专利范围第15项之装置,其具有一最大値 获取单元(33),该充电信号(S2)可被馈送至且可提供 一最大値信号(S2max),其表示在一预定时间间隔内 之充电信号(S2)之一最大値,该第一参考信号(Vref1) 及该第二参考信号(Vref2)系视该最大値信号(S2max) 而定。 17.如申请专利范围第11项之装置,其中该评估单元( 30)系具有以下特征: -一整合单元(31),该电流量测信号(S1)可被馈送至且 可提供一充电信号(S2), -一第一比较器单元(32),该充电信号(S2)及一第一参 考信号(Vref1)可被馈送至且基于视该充电信号(S2) 及该第一参考信号(Vref1)之比较而提供一第一比较 信号(ST32), -一第二比较器单元(34),该充电信号(S2)及一第二参 考信号(Vref2)可被馈送至且基于该充电信号(S2)及 该第二参考信号(Vref2)之比较而提供一第二比较信 号(ST34), -一时间获取单元(35),该第一及第二比较信号(ST32, ST34)可被馈送至且基于该第一比较信号(ST32)之位 准改变及该第二比较信号(ST34)之位准改变间之一 时域距离而提供一时间信号(TS), -一比较单元(37),该时间信号(TS)及一参考信号(Tref) 可被馈送至且其视该时间信号(TS)及该参考信号( Tref)之比较来设定该第一参考信号(Vref1),且其提供 一比较信号(S38), -一组合单元(38),该第一比较信号(ST32)及该比较信 号(S38)可被馈送至且基于视该第一比较信号(ST32) 及该比较信号而提供状态信号(ST)。 18.如申请专利范围第17项之装置,其中该第二比较 信号(ST34)亦被馈送至该组合单元(38),该第一或第 二比较信号(ST32,ST34)系依据该比较信号(S38)被输出 当作状态信号(ST)。 19.如申请专利范围第11项之装置,其中该评估单元( 40)系具有以下特征: -一比较器单元(41),该电流量测信号(S1)及一第三参 考信号(Vref3)可被馈送至且可提供一比较信号(S3), -一计数器装置(43),其被下游连接至该比较器装置 且被设计来计数该比较信号(S3)之位准改变,且可 基于该计数器读取而提供一计数信号(S4), -一计数器信号评估单元(44),该计数器信号可被馈 送至且基于该计数器信号(S4)而提供该状态信号(ST )。 20.如申请专利范围第19项之装置,其中该计数器装 置(43)可假设该计数器信号(S4)依赖之n计数器读取, 且其中该计数器评估单元(44)可提供一状态信号(ST ),其当该计数器读取从该计数器读取之一特定计 数器读取改变至该计数器读取之另一特定计数器 读取时,呈现一位准改变。 21.如申请专利范围第20项之装置,其中该计数器装 置可假设两计数器读取。 22.一种驱动具有第一及第二电晶体(T1,T2)之半桥电 路之第一电晶体(T1,T2)之方法,其负载路径系被串 联,该方法系具有该下列方法步骤: -使用如申请专利范围第1至7项之一之方法来决定 该第二电晶体(T2,T1)之开关状态, -基于该该第二电晶体(T2,T1)之该开关状态来驱动 该第一电晶体(T1,T2)。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中该第一电晶 体(T1,T2)之该开关状态系以如申请专利范围第1至6 项之一之方法为基础来决定,且其中该第二电晶体 (T2,T1)系基于该第一电晶体(T1,T2)之该开关状态来 驱动。 图式简单说明: 第1图显示具有被当作低侧开关之金属氧化半导体 场效电晶体及驱动电路之电路装置,该驱动电路系 具有可获取金属氧化半导体场效电晶体之开关状 态之电路装置, 第2A-2B图显示可决定视使用一参考信号(第2A图)及 使用两参考信号(第2B图)之开关状态而定之状态信 号之评估单元第一实施例, 第3A-3D图显示被描绘于第1及2图中之被选择信号时 间轮廓, 第4图显示可提供视开关状态而定之状态信号之评 估单元进一步实施例, 第5图显示用于评估单元之一之积体单元电路实施 例, 第6图显示可决定视电晶体开关状态而定之状态信 号之评估单元进一步实施例, 第7A-7D图显示被描绘于第一及六图中之被选择信 号轮廓例, 第8图显示具有被当作高侧开关之金属氧化半导体 场效电晶体及驱动电路之电路装置,该驱动电路系 具有可获取金属氧化半导体场效电晶体之开关状 态之电路装置, 第9图显示可提供视开关状态而定之状态信号之评 估单元进一步实施例, 第10A-10F图显示被描绘于第1及9图中之被选择信号 时间轮廓, 第11图显示具有两串联金属氧化半导体场效电晶 体之半桥电路及可决定金属氧化半导体场效电晶 体开关状态之评估单元, 第12A-12B图显示被描绘于第6图中之评估单元修改 。 |
