发明名称 感放射线性折射率变化性组成物及其利用
摘要 本发明系提供以简易的方法使材料之折射率产生变化,该变化后之折射率差为非常大的数值,且不受其后使用条件影响,可提供安定的折射率图案及光学材料的组成物及形成折射率图案及光学材料的方法。上述组成物系含有(A)分解性化合物、(B)如四丁氧基钛、四甲氧基锆、四甲氧基镓、四甲氧基矽烷之烷氧基金属或如四氯矽烷之卤化合物之水解生成物及(C)感放射线分解剂,且为感放射线性。
申请公布号 TWI276664 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW091104562 申请日期 2002.03.12
申请人 JSR股份有限公司 发明人 西村功;别所信夫;熊野厚司;山田宪司
分类号 C08L83/04(2006.01) 主分类号 C08L83/04(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种感放射线性折射率变化性组成物,其特征系 含有(A)分解性化合物、(B)至少一种选自由以下述 式(1') M(OR)mYn …(1') M系+2-5价之原子,R为烷基或芳基,Y为氢原子、烷基 、芳基、羟基、烷氧基或芳氧基,m及n系分别独立 之0或1以上之整数,但是m+n系等于M之原子价,所表 示之烷氧基金属及以下述式(2') MXmYn …(2') M、Y、m及n之定义系与式(1')相同,X系卤原子,所表 示之卤化合物所成群之化合物之水解生成物,及(C) 感放射线分解剂, 其中(B)成分之折射率nB与(A)成分之折射率nA具有下 述式(1) nB-nA≧0.05 ………(1)的关系, 其中(B)成分之折射率nB与(A)成分之折射率nA具有下 述式(2) nA-nB≧0.05 ………(2)的关系, 其中(A)分解性化合物为含有至少一种以下述式(1)- (7)或(8)-(11)表示之结构的聚合物, (式(1)中,R1为伸烷基、全氟伸烷基、烷基亚矽烷基 、伸烷芳烷基或伸芳基,R2为伸烷基、全氟伸烷基 、伸烷芳烷基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚 锗烷基,前述伸烷基或全氟伸烷基可含有-O-、-CO- 、-COO-或-OCOO-键) (式(2)中,M为Si或Ge、R3为伸烷基、全氟伸烷基、伸 烷芳烷基、伸芳基、烷基亚矽烷基、烷基亚锗烷 基或单键,R4为氧原子、伸烷基、全氟伸烷基、伸 烷芳烷基、伸芳基、烷基亚矽烷基或单键,R5、R6 、R7及R8系各自独立之氢原子、烷基、芳基、烷氧 基、烷硫基、烷氧酯基、全氟烷基、全氟烷氧基 、全氟烷氧酯基或全氟芳基,m为0至2之整数,前述 伸烷基或全氟伸烷基可含有-O-、-CO-、-COO-或OCOO- 键) (式(3)中,R9及R10系各自独立的伸烷基、全氟伸烷基 、伸烷芳烷基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚 锗烷基,前述伸烷基或全氟伸烷基可含有-O-、-CO- 、-COO-或-OCOO-键) (式(4)中,R11系氧基伸烷基或单键,R12为氢原子、烷 基、烷氧基、烷氧酯基、全氟烷基、全氟烷氧酯 基或全氟芳基、伸烷芳烷基或芳基) (式(5)中,R13系氢原子、烷基、烷氧基、烷氧酯基 、全氟烷基、全氟烷氧基、全氟烷氧酯基、全氟 芳基或芳基) (式(6)中,R14系伸烷基或以下述式(6)-1、(6)-2或(6)-3 表示的结构) (式(6)-1中,R15、R16、R17及R18系相互独立的氢原子、 碳数1-6之链状烷基、氯原子、溴原子、碘原子、 羟基、巯基、羧基、碳数1-6之烷氧基、碳数1-6之 烷硫基、碳数1-6之卤化烷基、碳数1-6之卤化烷氧 基、碳数1-6之卤化烷硫基、碳数1-6之羟基烷基、 碳数1-6之巯基烷基、碳数1-6之羟基烷氧基、碳数1 -6之巯基烷硫基、碳数6-10之芳香基或碳数7-11之芳 烷基) -O-R19-O- ………(6)-2 (式(6)-2中,R19系伸烷基) -NH-R20-NH- ………(6)-3 (式(6)-3中,R20系伸烷基), (式(7)中,R21系伸烷基、伸烷芳烷基或伸芳基), (式(8)中,R22为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R23为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷芳烷基、烷基亚 矽烷基或烷基亚锗烷基,R24、R25、R26及R27系各自独 立之氢原子、烷基、芳基、烷氧基或烷硫基,I及j 系分别为0或1之整数) (式(9)中,R28为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R29为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷芳烷基、烷基亚 矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(10)中,R30及R31系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷芳烷基、烷基亚矽烷基或烷基亚 锗烷基) (式(11)中,R32及R33系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷芳烷基、烷基亚矽烷基或烷基亚 锗烷基)。 2.如申请专利范围第1项之组成物,其系尚含有(D)安 定化剂。 3.如申请专利范围第1或2项之组成物,其中(B)成分 含有上述水解生成物及无机氧化物粒子。 4.一种折射率变化方法,其特征系将放射线照射于 如申请专利范围第1或2项之组成物。 5.一种折射率图案之形成方法,其特征系将放射线 照射于如申请专利范围第1或2项之感放射线性折 射率变化性组成物之一部分。 6.一种折射率图案之形成方法,其特征系将放射线 照射于如申请专利范围第1或2项之组成物之一部 分,接着以(D)安定化剂处理。 7.一种折射率图案之形成方法,其特征系将放射线 照射于如申请专利范围第2项之组成物之一部分, 接着以(D)安定化剂可与(A)分解性化合物反应之温 度进行处理。 8.如申请专利范围第5项之折射率图案之形成方法, 其中放射线照射部与放射线未照射部之折射率最 大差为0.02以上。 9.一种折射率图案,其特征系以如申请专利范围第5 项之方法所形成。 10.一种光学材料,其特征系以如申请专利范围第5 项之方法所形成。
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