发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明之目的在于,提供在布线基板上重叠搭载2个半导体晶片的构成中,在上侧的第2半导体晶片十分大于下侧的第1半导体晶片的情况,可改善连接第2半导体晶片与布线基板的金属细线的连接可靠度的半导体装置及其制造方法。该半导体装置系藉由接合剂接合第1半导体晶片的背面与第2半导体晶片的背面,同时,接合剂的侧部系从第1半导体晶片的端部向着第2半导体晶片从第1半导体晶片侧面伸出的部分倾斜。为此,可抑制因将第2半导体晶片电性连接于布线基板的金属细线的冲击,而于第2半导体晶片上产生微细龟裂,或产生金属细线的接合不良。
申请公布号 TWI277187 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW092122831 申请日期 2003.08.20
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 福田敏行;藤本博昭;睦夫;油井隆;竹冈嘉昭
分类号 H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号1112室;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号1112室
主权项 1.一种半导体装置,在具有第1布线电极与第2布线 电极之布线基板上安装有: 第1半导体晶片,在表面具有与上述第1布线电极连 接的电极;及 第2半导体晶片,在较上述第1半导体晶片大的表面 的至少周边具有藉由金属细线与上述第2布线电极 电性连接的电极;其中: 藉由接合剂接合上述第1半导体晶片的背面与上述 第2半导体晶片的背面,同时,上述接合剂的侧部系 从上述第1半导体晶片的端部,向着上述第2半导体 晶片从第1半导体晶片侧面伸出的部分倾斜,上述 接合剂沿着上述第1半导体晶片的平面方向面的剖 面积,系大于上述第1半导体晶片的背面面积。 2.一种半导体装置,在具有第1布线电极与第2布线 电极之布线基板上安装有: 第1半导体晶片,在表面具有与上述第1布线电极连 接的电极;及 第2半导体晶片,在较上述第1半导体晶片大的表面 的至少周边具有藉由金属细线与上述第2布线电极 电性连接的电极;其中: 藉由接合剂接合上述第1半导体晶片的背面与上述 第2半导体晶片的背面,同时,上述接合剂的侧部系 从上述第1半导体晶片的端部,向着上述第2半导体 晶片从第1半导体晶片侧面伸出的部分倾斜,在上 述布线基板的第1半导体晶片安装面电性连接被动 零件,第2半导体晶片较第1半导体晶片及上述被动 零件的配置区域大,且连接上述第2半导体晶片的 背面及与此对向的上述被动零件的背面。 3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,将与 第1半导体晶片的背面高度成为大致相同高度的隔 片接合于被动零件的背面,以介入隔片的状态连接 上述第2半导体晶片的背面及与此对向的上述被动 零件的背面。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置 ,其中,接合剂的侧部系为凹曲面形状。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置 ,其中,接合剂系形成于第1半导体晶片的背面全区 域及侧面的一部分。 6.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置 ,其中,在布线基板与第1半导体晶片间形成下方填 充树脂,上述下方填充树脂侧面的至少一部分系藉 由接合剂所覆盖。 7.一种半导体装置之制造方法,具备: 准备具有第1布线电极与第2布线电极的布线基板 及在表面具有电极的第1半导体晶片的步骤; 藉由凸块电性连接上述布线基板的第1布线电极及 第1半导体晶片的电极的步骤; 藉由接合剂接合与上述第1半导体晶片的电极相反 侧的背面、及与较上述第1半导体晶片为大之第2 半导体晶片的电极相反侧的背面的步骤;及 藉由金属细线连接上述第2半导体晶片的电极与上 述布线基板的第2布线电极的步骤;其中: 在接合上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片 的步骤时,以从上述第1半导体晶片的端部向着上 述第2半导体晶片从第1半导体晶片侧面伸出的部 分倾斜的方式形成上述接合剂的侧部,同时,上述 接合剂沿着上述第1半导体晶片的平面方向面的剖 面积,系大于上述第1半导体晶片的背面面积。 8.一种半导体装置之制造方法,具备: 准备具有第1布线电极与第2布线电极的布线基板 及在表面具有电极的第1半导体晶片的步骤; 藉由凸块电性连接上述布线基板的第1布线电极及 第1半导体晶片的电极的步骤; 藉由接合剂接合与上述第1半导体晶片的电极相反 侧的背面、及与较上述第1半导体晶片为大之第2 半导体晶片的电极相反侧的背面的步骤;及 藉由金属细线连接上述第2半导体晶片的电极与上 述布线基板的第2布线电极的步骤;其中: 在接合上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片 的步骤时,以从上述第1半导体晶片的端部向着上 述第2半导体晶片从第1半导体晶片侧面伸出的部 分倾斜的方式形成上述接合剂的侧部,在电性连接 布线基板与第1半导体晶片的步骤时,电性连接上 述布线基板与被动零件,在接合上述第1半导体晶 片与第2半导体晶片的步骤时,在上述第2半导体晶 片的背面及与此对向的上述被动零件的背面之间, 以介入与上述第1半导体晶片的背面高度成为大致 相同高度的隔片的状态进行接合。 9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法, 其中,在上述布线基板与上述第1半导体晶片之间 形成下方填充树脂,隔片系使用具有较上述下方填 充树脂大的具触变性的材料。 10.如申请专利范围第7至9项中任一项之半导体装 置之制造方法,其中,在藉由金属细线连接第2半导 体晶片与布线基板的步骤时,熔化上述金属细线的 前端,形成球块,于将上述球块连接上述布线基板 的第2布线电极后,将上述金属细线连接于上述第2 半导体晶片的电极。 图式简单说明: 图1A为显示本发明之一实施形态之树脂封装型半 导体装置所使用的半导体晶片的立体图,图1B为其 剖面图。 图2A为显示本发明之一实施形态之树脂封装型半 导体装置所使用的第1半导体晶片的俯视图,图2B为 要部放大图,图2C为形成电极焊垫的说明图。 图3为显示本发明之一实施形态之树脂封装型半导 体装置所使用的薄片基板的俯视图。 图4A为图3之运载基板的半导体元件搭载面的俯视 图,图4B为沿着图4A中之a-a'线所作的剖面图,图4C为 外部端子侧的俯视图。 图5A~5D为显示本发明之一实施形态之树脂封装型 半导体装置的制造步骤的剖面图。 图6A、图6B为图5之下一步骤的剖面图。 图7为显示本发明之一实施形态之接合剂的形状的 剖面图。 图8A~8C为显示本发明之另一实施形态之树脂封装 型半导体装置的剖面图。 图9A为显示本发明之另一实施形态之树脂封装型 半导体装置的局部剖开的俯视图,图9B为剖面图。 图10A为显示习知树脂封装型半导体装置的剖面图, 图10B为其局部的放大图。
地址 日本