发明名称 可动态调整负载装置之执行效能的装置及方法
摘要 本发明系有关于一种可动态调整处理器、显示晶片等负载装置之执行效能的装置及方法。本发明之方法系将负载装置之执行效能区分成复数个效能阶级,而每一效能阶级对应至一组临界值以及反磁滞值,再由本发明之装置量测负载装置之负载状态,当负载状态改变时则依据临界值以及反磁滞值以作为是否变换效能阶级之依据,如此一来,可有效且合理地切换于复数个效能阶级中。
申请公布号 TWI276940 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW094110214 申请日期 2005.03.31
申请人 精拓科技股份有限公司 发明人 陈赠文;黄俊淦
分类号 G05F1/10(2006.01) 主分类号 G05F1/10(2006.01)
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼;杨庆隆 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 1.一种可动态调整负载装置之执行效能的装置,该 负载装置之执行效能区分成复数效能阶级,每一效 能阶级设定有对应之工作参数、临界値及反磁滞 値,其中,于高于负载装置之正常执行效能的效能 阶级中,该反磁滞値系大于该临界値,于低于负载 装置之正常执行效能的效能阶级中,该反磁滞値系 小于该临界値,该装置系依据一负载讯号而调整该 负载装置之一执行效能,且该负载讯号对应至该负 载装置之负载状态,其包括: 一侦测装置,系用以输入并量化该负载讯号以取得 一负载量化値,并比对该负载量化値与该等临界値 及反磁滞値,以决定一对应之效能阶级,而输出一 控制讯号;以及 一效能控制器,系依据该控制讯号而调整该负载装 置之该执行效能至该对应之效能阶级。 2.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该负载装置系为一中央 处理器。 3.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该负载装丰系为一显示 晶片。 4.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该负载装置系为一南北 桥晶片。 5.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该侦测装置系为一电流 负载侦测电路。 6.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该侦测装置系为一电压 侦测电路。 7.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该侦测装置系为一电流 侦测电路。 8.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该负载讯号系为一工作 电压之电压値。 9.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该负载讯号系为一PWM讯 号。 10.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该负载讯号系为一闸极 控制讯号。 11.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该负载讯号系为一工作 电流之电流値。 12.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该负载讯号系由一PWM控 制器所提供。 13.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该效能控制器系为一电 压调整器。 14.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该效能控制器系为一时 脉产生器。 15.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该控制讯号系为一电压 控制讯号,并藉由调整该负载装置之一工作电压而 调整该执行效能。 16.如申请专利范围第1项所述之可动态调整负载装 置之执行效能的装置,其中该控制讯号系为一时脉 控制讯号,并藉由调整该负载装置之一工作频率而 调整该执行效能。 17.一种可动态调整负载装置之执行效能的方法,系 依据一负载讯号而调整该负载装置之一执行效能, 且该负载讯号对应至该负载装置之负载状态,其包 括: (A)将该负载装置之该执行效能区分成复数效能阶 级,并设定每一该等效能阶级所对应之一工作参数 、一临界値以及一反磁滞値,其中,于高于负载装 置之正常执行效能的效能阶级中,该反磁滞値系大 于该临界値,于低于负载装置之正常执行效能的效 能阶级中,该反磁滞値系小于该临界値; (B)量化该负载讯号以取得一负载量化値;以及 (C)比对该负载量化値与该等临界値或反磁滞値,以 决定一对应之效能阶级,俾调整该负载装置之该工 作参数,以使该负载装置之该执行效能调整至该对 应之效能阶级。 18.如申请专利范围第17项所述之可动态调整负载 装置之执行效能的方法,其中该负载装置系为一中 央处理器。 19.如申请专利范围第17项所述之可动态调整负载 装置之执行效能的方法,其中该负载装置系为一显 示晶片。 20.如申请专利范围第17项所述之可动态调整负载 装置之执行效能的方法,其中该负载装置系为一南 北桥晶片。 21.如申请专利范围第17项所述之可动态调整负载 装置之执行效能的方法,其中该工作参数系为一工 作电压。 22.如申请专利范围第17项所述之可动态调整负载 装置之执行效能的方法,其中该工作参数系为一工 作频率。 23.如申请专利范围第17项所述之可动态调整负载 装置之执行效能的方法,其中该工作参数系为一工 作电压以及一工作频率。 24.如申请专利范围第17项所述之可动态调整负载 装置之执行效能的方法,其中该负载讯号系为一PWM 讯号。 25.如申请专利范围第17项所述之可动态调整负载 装置之执行效能的方法,其中该负载讯号系为一闸 极控制讯号。 26.如申请专利范围第17项所述之可动态调整负载 装置之执行效能的方法,其中该负载讯号系为一工 作电压之电压値。 27.如申请专利范围第17项所述之可动态调整负载 装置之执行效能的方法,其中该负载讯号系为一工 作电流之电流値。 图式简单说明: 图1系电源供应电路以及中央处理器之示意图。 图2系本发明可动态调整负载装置之执行效能的装 置之第一实施例之电路方块图。 图3系本发明可动态调整负载装置之执行效能的装 置之第一实施例之另一电路方块图。 图4系本发明可动态调整负载装置之执行效能的装 置之第一实施例之另一电路方块图。 图5系本发明可动态调整负载装置之执行效能的装 置之第二实施例之电路方块图。 图6系本发明可动态调整负载装置之执行效能的装 置之第三实施例之电路方块图。 图7系本发明可动态调整负载装置之执行效能的方 法之流程图。 图8系负载量化値、临界値以及反磁滞値之示意图 。
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