| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括: 一辐射平板; 一半导体晶片,接合在该辐射平板上; 一树脂墙,在较低的一端接合该辐射平板并且包围 该半导体晶片的周围; 一导电构件,经由该树脂墙延伸并且藉该树脂墙保 持该半导体晶片电性导电到外部;以及 一树脂盖,接合在该树脂墙上端,该金属构件之一 内导线部装设于形成为该树脂墙之一部分的一基 座上,并且该半导体晶片被该辐射平板、该树脂墙 和该树脂盖密封在空间区域。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该 导电构件系由导线架构成,该辐射平板系由不同于 该导线架的金属平板所构成。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中在 该半导体装置上该树脂墙符合到该辐射平板的突 出部分或凹陷部分。 4.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中在 该半导体装置上该树脂墙符合到该辐射平板提供 的突出部分或凹陷部分。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其更包 括一凹陷部份,被提供在该半导体装置上该辐射平 板上的对应位置部分,以及一突出部分,突出并且 提供在凹陷部分的内表面,其中该树脂墙的较低端 部分被埋入凹陷部分。 6.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其更包 括一凹陷部份,被提供在该辐射平板的对应位置, 以及一突出部分,突出并且提供在凹陷部分的内表 面,其中该树脂墙的较低端部分被埋入凹陷部分。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其更包 括孔洞,在半导体装置上被提供在该导电构件上该 树脂墙的外部位置。 8.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其更包 括孔洞,在半导体装置上被提供在该导电构件上该 树脂墙的外部位置。 9.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其更包 括第一孔洞,在半导体装置上被提供在该导电构件 上该树脂墙的外部位置,以及第二孔洞或排气阀, 被提供在经由该导电构件的该树脂墙所延伸的范 围。 10.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其更 包括第一孔洞,在半导体装置上被提供在该导电构 件上该树脂墙的外部位置,以及第二孔洞或排气阀 ,被提供在经由该导电构件的该树脂墙所延伸的范 围。 11.如申请专利范围第9项所述之半导体装置,其中 当该导电构件由该树脂墙外部往该树脂墙方向看 去,在该半导体装置上第一孔洞被安置以便能重叠 介在第二孔洞或排气阀之间的空间。 12.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,其中 当该导电构件由该树脂墙外部往该树脂墙方向看 去,在该半导体装置上第一孔洞被安置以便能重叠 介在第二孔洞或排气阀之间的空间。 13.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其更 包括一阶梯部分,在该半导体装置上被与提供在该 树脂盖上的该树脂墙内部周围相符合。 14.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其更 包括一阶梯部分,在该半导体装置上被与提供在该 树脂盖上的该树脂墙内部周围相符合。 15.如申请专利范围第13项所述之半导体装置,其中 在该半导体装置上该树脂盖为一具有垂直平面对 称的形状。 16.如申请专利范围第14项所述之半导体装置,其中 在该半导体装置上该树脂盖为一具有垂直平面对 称的形状。 17.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中 在半导体装置上该辐射平板的周围被以电镀银表 面处理的树脂墙包围,并且该辐射平板除了与该树 脂墙、该导电构件的内部导线部分、外部导线部 分接合的部分之外的其他表面实施电镀金表面处 理。 18.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中 在该半导体装置上该辐射平板的周围被以电镀银 表面处理的该树脂墙包围,并且该辐射平板除了与 该树脂墙、该导电构件的内部导线部分、外部导 线部分接合的部分之外的其他表面实施电镀金表 面处理。 19.一种半导体装置的制造方法,包括步骤如下: 安置一导电构件和一辐射平板在具有孔穴对应一 树脂墙的一金属模具内; 夹合住该辐射平板的范围,此范围藉由该金属模的 上模和下模构成该树脂墙的内部;以及 一树脂塑模在该金属模中形成该树脂墙并打开该 金属模;以及 电镀该辐射平板与该导电构件。 20.如申请专利范围第19项所述之半导体装置的制 造方法,其中 该导电构件系由一导线架构成,该辐射平板系使用 不同于该导线架的金属平面。 21.如申请专利范围第20项所述之半导体装置制造 方法,其中在该半导体装置上电镀包含下述步骤: 该辐射平板电镀银; 该导电构件电镀金; 该辐射平板构成该树脂墙外部的范围电镀金。 22.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中 该辐射板具有端部一体成形于该辐射板端部之两 端,该树脂墙之较低端接合于上述之中央部,而该 端部穿过该树脂墙而外露。 23.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中 该辐射板具有端部一体成形于该辐射板端部之两 端,该树脂墙之较低端接合于上述之中央部,而该 端部穿过该树脂墙而外露。 24.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中 该导电构件在树脂墙内侧的部分较宽。 25.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中 该导电构件在树脂墙内侧的部分较宽。 图式简单说明: 第1图系为一具辐射平板习知树脂密封构装装置的 部分切除立体图。 第2图系为一具辐射平板习知陶瓷密封构装装置的 部分切除立体图。 第3图系为根据本发明具体化半导体装置12的部分 切除立体图。 第4图系为构成根据本发明第1项具体化半导体装 置12的辐射平板20的立体图。 第5图系为根据本发明第1项具体化的半导体装置12 部分切除由底端看去的立体图。 第6图系为制造根据本发明第1项具体化半导体装 置12的导线架39之平面图。 第7A图系为构成根据本发明第1项具体化半导体装 置12的树脂盖50之平面图,第7B图是边视图,第7C图是 前视图。 第8A图系为根据本发明第1项具体化的半导体装置 12,将树脂盖50移除的状态,第8B图是显示树脂盖50的 第8A图中沿着A-A线段的剖面图,第8C图则是第8A图中 沿着B-B线段的剖面图。 第9A图系为第8A图中沿着A-A线段截断的铸模金属剖 面图,第9B图是第8B图中沿着B-B线段截断的铸模金 属剖面图。 第10图系为根据本发明第1项具体化的半导体装置 12进行铸模制程后的立体图。 第11A图至第11D图系为典型图示显示半导体装置12 根据本发明的第一个具体化步骤在制程中的电镀 过程。 第12图系为一种平面图显示第2个发明的具体化导 线架。 |
