| 主权项 |
1.一种半导体之缺陷检测方法,该缺陷检测方法包 含有下列步骤: 提供一半导体检测件,且该半导体检测件中包含有 至少一缺陷; 利用一失效分析(FA)技术,于该半导体检测件之背 面检测出至少一可疑异常区域(suspected area); 利用一物理能量,于该半导体检测件背面之该可疑 异常区域周围形成复数个参考标记;以及 利用该等参考标记,于该半导体检测件之正面标定 出该缺陷之相对位置。 2.如申请专利范围第1项之缺陷检测方法,其中该半 导体检测件系包含半导体晶圆、晶粒或晶片。 3.如申请专利范围第1项之缺陷检测方法,其中该失 效分析(FA)技术系利用热点(hot spot)、红外线诱发 阻抗变化分析(IR OBIRCH)、放射(emission)等失效分析( FA)装置来施行。 4.如申请专利范围第3项之缺陷检测方法,其中该等 失效分析(FA)装置会于该缺陷之相对位置而于该半 导体检测件之背面产生一可疑异常讯号(suspected signal),进而检测出该可疑异常区域的位置。 5.如申请专利范围第1项之缺陷检测方法,其中该物 理能量系为雷射光。 6.如申请专利范围第1项之缺陷检测方法,其中于该 半导体检测件之正面标定出该缺陷之相对位置的 步骤系利用电压对比异常(voltage contrast abnormal)方 法来实施。 7.如申请专利范围第1项之缺陷检测方法,其中于该 半导体检测件之正面标定出该缺陷之相对位置的 步骤系利用电射标记方法来实施。 8.如申请专利范围第1项之缺陷检测方法,其中于该 半导体检测件之正面标定出该缺陷之相对位置之 后,该缺陷检测方法另包含有一检视步骤。 9.如申请专利范围第8项之缺陷检测方法,其中该检 视步骤系利用光学显微镜、扫瞄式电子显微镜、 穿透式电子显微镜或是聚焦离子束显微镜来检视 该半导体检测件的正面。 10.如申请专利范围第9项之缺陷检测方法,其中该 检视步骤另配合有至少一物理性方法或是化学性 的去除膜层技术来分析该缺陷的位置。 11.一种半导体之缺陷检测方法,该缺陷检测方法包 含有下列步骤: 提供一半导体检测件,且该半导体检测件中包含有 至少一缺陷; 利用一失效分析(FA)技术,于该半导体检测件之背 面检测出至少一可疑异常区域(suspected area); 利用一第一物理能量,于该半导体检测件背面之该 可疑异常区域周围形成复数个第一参考标记;以及 利用一第二物理能量及该等第一参考标记,于该半 导体检测件之正面形成复数个第二参考标记,以标 定出该缺陷之相对位置。 12.如申请专利范围第11项之缺陷检测方法,其中该 半导体检测件系包含半导体晶圆、晶粒或晶片。 13.如申请专利范围第11项之缺陷检测方法,其中该 失效分析(FA)技术系利用热点(hot spot)、红外线诱 发阻抗变化分析(IR OBIRCH)、放射(emission)等失效分 析(FA)装置来施行,且该等失效分析(FA)装置会于该 缺陷之相对位置而于该半导体检测件之背面产生 一可疑异常讯号(suspected signal),进而检测出该可疑 异常区域的位置。 14.如申请专利范围第11项之缺陷检测方法,其中该 等物理能量系为雷射光。 15.如申请专利范围第11项之缺陷检测方法,其中于 该半导体检测件之正面标定出该缺陷之相对位置 之后,该缺陷检测方法另包含有一利用光学显微镜 、扫瞄式电子显微镜、穿透式电子显微镜或是聚 焦离子束显微镜来检视该半导体检测件之正面的 检视步骤。 16.如申请专利范围第15项之缺陷检测方法,其中该 检视步骤另配合有至少一物理性方法或是化学性 的去除膜层技术来分析该缺陷的位置。 17.一种半导体之缺陷检测方法,该缺陷检测方法包 含有下列步骤: 提供一半导体检测件,且该半导体检测件中包含有 至少一缺陷; 利用一失效分析(FA)技术,于该半导体检测件之背 面检测出至少一可疑异常区域(suspected area); 利用一物理能量,于该半导体检测件背面之该可疑 异常区域周围形成复数个第一参考标记;以及 利用一电压对比异常(voltage contrast abnormal)及该等 第一参考标记,于该半导体检测件之正面标定出该 缺陷之相对位置。 18.如申请专利范围第17项之缺陷检测方法,其中该 半导体检测件系包含半导体晶圆、晶粒或晶片。 19.如申请专利范围第17项之缺陷检测方法,其中该 失效分析(FA)技术系利用热点(hot spot)、红外线诱 发阻抗变化分析(IR OBIRCH)、放射(emission)等失效分 析(FA)装置来施行,且该等失效分析(FA)装置会于该 缺陷之相对位置而于该半导体检测件之背面产生 一可疑异常讯号(suspected signal),进而检测出该可疑 异常区域的位置。 20.如申请专利范围第17项之缺陷检测方法,其中该 等物理能量系为雷射光。 21.如申请专利范围第17项之缺陷检测方法,其中于 该半导体检测件之正面标定出该缺陷之相对位置 之后,该缺陷检测方法另包含有一利用光学显微镜 、扫瞄式电子显微镜、穿透式电子显微镜或是聚 焦离子束显微镜来检视该半导体检测件之正面的 检视步骤。 22.如申请专利范围第21项之缺陷检测方法,其中该 检视步骤另配合有至少一物理性方法或是化学性 的去除膜层技术来分析该缺陷的位置。 图式简单说明: 第1图为习知技术中一缺陷检测方法之流程示意图 。 第2图为本发明第一实施例于一半导体检测件背面 检视暨标定缺陷之示意图。 第3图为本发明第一实施例之半导体检测件正面之 上视图。 第4图至第6图为本发明另一实施例于半导体检测 件之背面、正面检视暨标定缺陷之示意图。 第7图为本发明又一实施例于一半导体检测件之正 面检视暨标定缺陷之示意图。 |
