发明名称 电子电路
摘要 关于电晶体,由于制造技术和所使用基底的不同,会出现闸极绝缘膜的变化,以及由此在通道形成区结晶状态的变化等因素之重叠,因此会产生电晶体的临界值电压和迁移率的变化。本发明提供一种使用整流型装置的电路,其中当在该装置两端的电极施加电位差时,仅在单一方向产生电流。其次,本发明提供一种电子电路,其利用了一个事实,即当讯号电压被输入到整流型装置的一端时,另一端的电位成为只被整流型装置的临界值电压偏置的电位。
申请公布号 TWI277290 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW092100807 申请日期 2003.01.15
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 木村肇;渡边康子
分类号 H03F1/08(2006.01) 主分类号 H03F1/08(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种电子电路,用于根据从输入端输入的输入电 位,经由输出端输出一输出电位,该电子电路包含: 一电晶体; 一整流型装置,其具有第一和第二电极,输入电位 被输入到整流型装置的第一电极; 第一开关,用于将电源电位输入到第二电极,并用 于将第二电极的电位与第一电位会聚;以及 第二开关,当第一电位被输入到电晶体的闸极电极 时,用于从电晶体的源极输出该输出电位。 2.如申请专利范围第1项之电子电路,其中电晶体为 n-通道型,且电源电位Vdd、输入电位Vin和电晶体的 临界値电压Vth满足关系Vdd≧(Vin+Vth),而第一电位V1 满足关系V1=Vin+Vth。 3.如申请专利范围第1项之电子电路,其中电晶体为 p-通道型,且电源电位Vdd、输入电位Vin和电晶体的 临界値电压Vth满足关系Vdd≦(Vin-|Vth|),而第一电位V 1满足关系V1=Vin-|Vth|。 4.如申请专利范围第1项之电子电路,其中整流型装 置为二极体或电晶体。 5.一种电子电路,用于根据从输入端输入的输入电 位,经由输出端输出一输出电位,该电子电路包含: 具有第一和第二电极的第一和第二整流型装置; 串联连接的第一和第二电晶体; 第一开关,用于输入第一电源电位到第一整流型装 置的第二电极,和用于将第一整流型装置的第二电 极的电位和第一电位会聚;以及 第二开关,用于输入第二电源电位到第二整流型装 置的第二电极,和用于将第二整流型装置的第二电 极的电位和第二电位会聚, 其中,输入电位被输入到第一整流型装置的第一电 极,且偏压电位被输入到第二整流型装置的第二电 极,以及 当第一电位被输入到第一电晶体的闸极电极以及 第二电位被输入到第二电晶体的闸极电极时,输出 电位被从第一电晶体的源极输出。 6.如申请专利范围第5项之电子电路,其中第一和第 二电晶体为n-通道型, 第一电源电位Vdd1、输入电位Vin和第一电晶体的临 界値电压Vth1满足关系Vdd1≧(Vin+Vth1), 第二电源电位Vdd2、偏压电位Vb和第二电晶体的临 界値电压Vth2满足关系Vdd2≧(Vb+Vth2),和 第一电位V1满足关系V1=Vin+Vth1,而第二电位V2满足关 系V2=Vb+Vth2。 7.如申请专利范围第5项之电子电路,其中第一和第 二电晶体为p-通道型, 第一电源电位Vdd1、输入电位Vin和第一电晶体的临 界値电压Vth1满足关系Vdd1≦(Vin-|Vth1|), 第二电源电位Vdd2、偏压电位Vb和第二电晶体的临 界値电压Vth2满足关系Vdd2≦(Vb-|Vth2|),和 第一电位V1满足关系V1=Vin-|Vth1|,而第二电位V2满足 关系V2=Vb|Vth2|。 8.如申请专利范围第5项之电子电路,其中第一和第 二整流型装置为二极体或电晶体。 9.如申请专利范围第1项之电子电路,其中输入电位 为从光电转换装置提供的讯号的电位。 10.如申请专利范围第1项之电子电路,其构成源极 跟随电路、差动放大器、运算放大器和放大器电 路中选择之一电路。 11.如申请专利范围第5项之电子电路,其中输入电 位为从光电转换装置提供的讯号的电位。 12.如申请专利范围第5项之电子电路,其构成源极 跟随电路、差动放大器、运算放大器和放大器电 路中选择之一电路。 图式简单说明: 图1A和1B是用于说明本发明的源极跟随电路的操作 的视图; 图2A和2B是用于说明本发明的源极跟随电路的操作 的视图; 图3A和3B是用于说明本发明的源极跟随电路的操作 的视图; 图4A-E是用于说明本发明的电子电路结构及其操作 的视图; 图5A-C是用于说明源极跟随电路的操作的视图; 图6A和6B是用于说明源极跟随电路的操作的视图; 图7A和7B是用来表示本发明的源极跟随电路的视图 ; 图8是表示本发明的差动放大器的视图; 图9是表示本发明的差动放大器的视图; 图10A-B是表示本发明的运算放大器的视图; 图11A和11B是表示本发明的运算放大器的视图; 图12A-C是表示本发明的半导体装置的视图; 图13是表示本发明的半导体装置的图素和偏压电 路的视图; 图14A和14B是用于说明本发明的电子电路结构的视 图; 图15是本发明讯号线驱动电路的视图; 图16是本发明上述讯号线驱动电路的视图; 图17是用于说明本发明的讯号线驱动电路的操作 的视图;和 图18A-H是应用本发明的电子装置的视图。
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