| 主权项 |
1.一种磁控溅镀装置,包括至少一真空舱,用以在一 基底上涂布复数多重成分薄膜,该装置具有一圆柱 状阴极(1,1'),沿纵轴旋转式地嵌入,一磁性系统配 置于该圆柱状阴极上(1,1'),该圆柱状阴极(1,1')至少 包括具复数互异靶材之二区域(2,2',3,3',4,4',5,5'),且 该磁控溅镀装置具有旋转该圆柱型阴极(1,1')之一 装置,以及具有对应该圆柱型阴极位移该基底之一 装置, 其特征在于: 用以旋转该圆柱型阴极(1,1')之该装置可依据该基 底速度连续性地调整成一速度以旋转该圆柱型阴 极(1,1'),使该等靶材可于该基底上混合,藉此利用 一磁控共同溅镀装置于该基底上沈积一多重成分 膜。 2.如申请专利范围第1项所述之磁控溅镀装置,其中 用以位移该基底之该装置系沿垂直该圆柱型阴极( 1,1')之纵轴方向调整位移该基底。 3.如申请专利范围第1项所述之磁控溅镀装置,其中 该磁控溅镀装置包括复数个圆柱型阴极(1,1')。 4.如申请专利范围第3项所述之磁控溅镀装置,其中 该圆柱型阴极(1,1')包括复数靶材之互异组合。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项所述之磁控溅 镀装置,其中该圆柱型阴极(1,1')之该等互异区域(2, 2',3,3',4,4',5,5')系为圆柱型区域。 6.如申请专利范围第1至4项中任一项所述之磁控溅 镀装置,其中该圆柱型阴极(1,1')之该等互异区域(2, 2',3,3',4,4',5,5')系直接相邻。 7.如申请专利范围第1至4项中任一项所述之磁控溅 镀装置,其中该圆柱型阴极(1,1')之该等互异区域(2, 2',3,3',4,4',5,5')系位于一传输管(6)中。 8.如申请专利范围第1至4项中任一项所述之磁控溅 镀装置,其中该圆柱型阴极(1,1')之该等互异区域(2, 2',3,3',4,4',5,5')之宽度系依据该圆柱型阴极之纵轴 调整该多重成分膜之预设化学剂量,作为该对应靶 材之溅镀良率之一函数。 9.一种涂布复数多重成分薄膜于基底上之方法,系 于一真空涂布系统中采用一磁控共同溅镀装置,具 有一圆柱型阴极(1,1'),沿纵轴旋转式地嵌入并配置 于一磁控溅镀装置中, 其特征在于: 该圆柱型阴极(1,1')至少包括具复数互异靶材之二 区域(2,2',3,3',4,4',5,5'),当该薄膜涂布于该基底时于 该内部磁性系统上沿纵轴旋转该基底于溅镀期间 系被引导通过该圆柱型阴极(1,1'),该基底速度系择 为溅镀良率之一函数,且自该基底至该圆柱型阴极 (1,1')之距离为该多重成分膜于该基底上之一预设 厚度;及 该圆柱型阴极(1,1')之旋转速度系择为该基底速度 之一函数,并对该等靶区域(2,2',3,3',4,4',5,5')进行快 速连续地溅镀处理,且于该基底上沈积并混合该等 各类材料成分,藉此于该基底上沈积形成一多重成 分膜。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中系根据 专利申请范围第4至7项以设计形成该圆柱型阴极(1 ,1')。 11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中系沿垂 直该圆柱型阴极(1,1')之纵轴方向调整位移该基底 。 12.如申请专利范围第9至11项中任一项所述之方法, 其中该圆柱型阴极(1,1')系以一平稳旋转速度移动 。 13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该圆柱 型阴极之旋转速度为5-10 rpm,最佳旋转速度为10rpm 。 14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中可调整 该多重成分膜之化学剂量,使该等互异靶材区域(2, 2',3,3',4,4',5,5')之宽度被择为该溅镀良率之一函数 。 15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中利用配 置于该磁控溅镀装置之复数圆柱型阴极(1,1')于该 基底上涂布各类多重成分膜。 16.如申请专利范围第9项所述之方法,其中利用配 置于该涂布系统中至少二组真空舱之复数磁控溅 镀装置之,于该基底上涂布各类多重成分膜,当该 基底通过该个别真空舱时不需中断该个别真空舱 之运转。 图式简单说明: 第1图系显示本发明中圆柱型阴极之透视图,此圆 柱型阴极完全由靶材所构成;以及 第2图系显示本发明中圆柱型阴极之透视图,其中 靶材系涂布于传输管上。 |
